MOS模拟器件的不匹配性研究.pdfVIP

摘要 摘要 集成电路工艺过程中，由于不确定性和随机误差或梯度误差等原因，产生 ～些理论上完全一样的MOS管，在实际上是有偏差的，这种偏差就称为器件的 不匹配。不匹配特性极大地影响模拟电路的特性，它的精确描述对于模拟电路 设计具有很重要的意义。工艺参数的分布会引起器件结构参数和电学参数变化。 随着半导体技术不断发展，加工尺寸不断缩小，工艺参数的分布导致的器件电 学参数分布，直接引起电路不匹配以及成品率的降低，工艺参数导致的器件不 匹配成为设计过程中必须考虑的因素。 随机的器件不匹配在模拟电路设计中起了很重要的作用，主要是由随机误 差造成的，而这种随机误差是由集成电路工艺引起的误差。因此MOS晶体管的 精确模型对于分析整个电路的性能有很重要的意义。这篇论文讲述了模拟集成 电路设计中关于MOSFET不匹配特性的～些基本概念以及随着加工尺寸的不断 减小，MOS管所引起的一系列短沟道效应，进而描述了整个MOS管模型的发 展历史，来说明一个精确的模型对模拟电路设计的重要意义。然后进一步阐述 了MOS管的失配所引起的电路性能的变坏，尤其是对整个D／A转换器性能的 影响，进而采用了改进技术，并且对这种技术进一步验证。针对放大器所引起 的失调，介绍了版图设计方法消除失配的原理，并且运用电路设计方法进行消 除，采用TSMC0．25舯标准CMOS工艺参数对其进行仿真验证。针对D／A的 电流源失配所引起的电路性能的变差，采用了电流源自校准技术，并对这种方 法进行仿真验证，能够取得不错的成果。 关键词：不匹配模型放大器电流源MOS ABSTRACT ABSTRACT Insemiconductor distributionofthe manufacturingprocess，the process willaffectthestructuralvariationsofdevicesand to in parameter leadsvariations devicecharacteristicsandcircuit the of performances．With development semiconductor featuresizeis scaled down,circuit technology，the aggressively be to are to sensitive variations． performancesexpectedincreasinglymanufacturing nll in Randomdevicemismatch role the of design playsimportant analog circuits．Devicemismatchisresultedfromrandomerror circuits ofintegrated