《###电力电子IGBT设计与制程技术的发展.》.pdf

模 拟 技 术 AnalogPower 电力电子 IGBT设计与制程技术的发展 ◆ 飞兆半导体韩国分公司/Soo-Seong Kim 引言 性能主要取决于系统中的功率半导体部件，它们决 定了系统的效率、尺寸和成本。因此，业界研发人 自绝缘闸双极型晶体管(IGBT)于上世纪80年 员不断致力开发具有最小功耗，而且可靠、易于使 代面世以来，一直成为中等功率应用中最常用的 用和成本低廉的部件。 部件“1,2”。IGBT兼具金属氧化物场效应晶体 商用IGBT产品在1983年面世之后，IGBT部件的额 管(MOSFET)的高输入阻抗，以及双极结型晶体管 定特性和电气特性一直显着提高。目前市面上除供 (bipolar junction transistor, BJT)的载流能力，可简 应600V、1200V、2500V 和 3300V的分离式 IGBT 和 化闸极驱动要求，同时增强导通状态性能“3”。它 IGBT 模块外，还有各种IGBT模块产品，以及带有内 具有低饱和电压、大电流密度、高阻断能力和高达 置闸极驱动器、控制及保护功能，且额定功率高达数 100kHz的频率范围等优点，故能迅速取代较低功率应 百kW的IGBT智能功率模块(intelligent power modules, 用中的双极型晶体管，以及较高功率应用中的闸极断 IPM) 。现在采用沟道闸结构和薄晶圆技术的IGBT的 流硅控整流体(gate turn-off thyristor, GTO)。 传导电压降比二极管稍高，且开关速度高得多。 现时的功率电子的发展主要来自功率半导体产 在中等功率和中频范围，IGBT是运用最广泛的 品的技术突破，这也同时令市场上出现各种各样专 功率半导体部件，普遍用于交流马达驱动、牵引力控 为不同应用而设计的功率部件，而这些功率半导体 制、感应加热系统、不间断电源(uninterruptible power 部件的功率处理能力和部件性能也因着设计技术和 supplies, UPS)和开关模式电源(switch mode power 制程技术的跃进而获得显着提高。功率电子系统的 supplies, SMPS)等。目前有数家大型半导体公司在生 产各种不同封装的IGBT产品，如 图1所示。 绝缘闸双极型晶体管技术 的发展趋势 IGBT的发展 IGBT结构是于1982年首次 提出“4”，它包含一个由整合 式MOSFET驱动的宽基区PNP晶体 管，如图2所示。由于MOS闸极