中文摘要
摘 要
二芳基取代的1,3,4.嘱二唑类化合物因具有高的荧光量子效率和良好的热稳
定性,成为一类性能优良的电子传输材料。本论文合成了五个新的二芳基取代的
1,3,4一噫二唑类小分子化合物,并对它们的热性能、光学性能以及电化学性能进
行了研究。同时合成了一类以T8H8为核、二芳基取代的1,3,4.嘿二唑基团为臂
的大分子,并对其进行了结构表征。论文主要内容如下:
1.综述了噫二唑类电了传输材料的研究进展,并介绍了噫二唑类电子传输材料
的合成方法。
2.设计合成了五个中间化合物和五个目标化合物,利用红外、核磁和元素分析
对化合物的结构进行了表征。
3.利用差示扫描量热法(Dsc)和热失重分析crGA)对小分子化合物的热性能进
行了研究,探讨了分子结构对材料热性能的影响。
4.对小分子化合物的光学性能进行了研究。结果显示,五个化合物均具有较高
的激发态能级,适宜作电子传输材料,并发现浓度和分子结构对激基缔合物
的形成有很大影响。
5.利用循环伏安法(cv)对小分子化合物的电化学性能进行了研究。结果显示,
五种化合物具有高的En值和高的IP值。
6.设计合成了三个带有端基烯键的二芳
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