传感器原理..ppt

霍 尔 效 应 在该侧面上形成负电荷的积累（－） 在另一侧面，由于电子浓度下降而出现等量的正电荷（＋） 从而形成霍尔电场EH 由于EH的存在，电子除受到洛仑兹力FL的作用，还要受到霍尔效应产生的电场力FH的作用。 形成霍尔电场 B － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ I + + + + + + + + + － － － － － － － － FH FL EH I I B v 霍 尔 效 应 电场力FH与洛伦兹力FL相平衡。 在半导体两个侧面形成霍尔电压UH 。 UH ∝ I · B 当 I 保持不变时，通过测量UH得到 B。 电子恢复直线运动 I B － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ + + + + + + + + + － － － － － － － － ＋ － UH FH FL EH I I B v 霍尔效应演示 在薄片的垂直方向施加磁场，电子除了做定向运动外，还在洛伦兹力的作用下向薄片的一个侧面偏转，从而形成霍尔电势。 霍尔效应实验器 实测表明： 金属中的霍尔电势非常弱，实用的霍尔元件通常采用半导体材料制成。 B 不变，UH 和 I 的线性关系。 I S N 金属片 ＋ － B S N I 160 140