Si3N4陶瓷二次部分瞬间液相连接过程的数值模型及其模拟.pdf

中文摘要 Si N 陶瓷二次部分瞬间液相连接过程的数值模型及模拟 3 4 摘 要 本文在前人对部分瞬间液相(Partial Transient Liquid Phase ，简称PTLP) 连接技术研究的基础上，总结了目前存在的问题，针对二次部分瞬间液相 连接技术进行了系统的研究。进行了Si N /Ti/Cu/Ti/Si N 的部分瞬间液相 3 4 3 4 连接和 Si N /Ti/Cu/Ni/Cu/Ti/Si N 的二次部分瞬间液相连接。采用 SEM 3 4 3 4 和EDS 等微观分析手段分析了连接界面区域的成分分布和微观结构；首 次对连接界面区域的元素扩散行为和接头残余应力的分布进行了数值模 拟；第一次提出了陶瓷/陶瓷(金属)二次部分瞬间液相连接的数值模型。 Si N /Ti/Cu/Ti/Si N 的部分瞬间液相连接研究结果表明：Ti 与Cu 相 3 4 3 4 互扩散形成的Ti-Cu 液体合金与Si3N4 陶瓷发生界面反应并形成反应层； 反应层的生长均符合扩散控制的抛物线方程。1323K 时，反应层生长速率 -8 1/2 因子为9.234 ×10 m/s ；在 1273K-1423K 温度范围内，相应的反应层生 长激活能为87.2kJ/mol 。分析认为，除通常的连接温度和时间外，靠近陶 瓷的中间层金属箔(如Ti 箔)的厚度也是一个十分重要的影响因素。本文 试验发现，Ti 箔厚度最佳值为10µm 。 根据菲克扩散定律建立了接头元素在界面的扩散模型，并进行了数值 模拟，通过与实际测量的结果加以比较，可以看出本模型在一定程度上较 好地反映了各元素在界面的扩散行为，具有其合理性。 提出了描述陶瓷二次PTLP 连接过程和选择二次PTLP 连接参数的模 型，并对该模型的具体应用作了阐述。在一定连接温度下，对特定的陶瓷 和中间层连接系统，选择陶瓷二次PTLP 连接参数的路线是：①确定最佳 反应层厚度；②决定活性中间层厚度；③确定连接时间。 利用热弹塑性有限元方法，模拟分析了Si3N4 陶瓷二次PTLP 连接接 头残余应力分布状态和中间层对此连接接头应力分布的影响。结果表明： 在靠近连接界面附近的陶瓷外表面存在最大拉伸应力；有中间过渡层的接 头残余应力出现大幅度的降低。分析认为：陶瓷与金属之间热膨胀系数的 重大差异是导致残余应力的主要原因；采用中间过渡层能缓和接头的残余 应力，提高接头强度。 关键词：氮化硅，二次PTLP 连接，动力学，部分瞬间液相连接，等温凝 固，扩散，中间层，残余应力,数值模拟 I 英文摘要 Numerical simulation and model in double partial transient liquid phase bonding of Si N ceramic 3 4 Abstract Double partial transient liquid -phase bonding (PTLP bonding) of Si N 3 4 was investigated in this paper on the basis of briefly reviewing achievements and th