硅基zno (dzno)薄膜及发光器件.pdfVIP

摘要 摘要 认为做为紫外发光器件最有潜力的材料之一。CdO禁带宽度为2．3eV，它与ZnO 形成的CdZnO合金半导体则是应用于可见发光的潜在材料。本文研究了硅基 ZnO(CdZnO)薄膜的发光性质；在此基础上，制备了电致发光器件，对器件的电 致发光性能进行了研究。本文得到的主要结果如下： 1．利用直流反应溅射法在Si衬底制备ZnO薄膜，研究了ZnO薄膜经不同 条件的快速热处理后的光致发光。结果表明：经心气氛下800(2快速热处理后 发光。然而，后者再经过心气氛下低温60C热处理后，其近带边发光强度则可 与前者的相比拟。分析认为，ZnO薄膜经氧气氛下快速热处理后在其表面存在吸 附的氧离子，它们对近带边光致发光不利。 2．以直流反应溅射法制备的ZnO薄膜做为半导体层，以射频反应溅射法制 备的Si02做为绝缘层，在重掺N型硅衬底上制备基于ZnO的金属．绝缘体．半导 体(MIS)结构的发光器件。当Si02厚度约为12nm时，器件在一定的正偏压下 产生随机激射，而当Si02厚度小于--,9am时，器件仅产生自发辐射的电致发光。 因此，只有当Si02厚度足够厚时，高浓度的载流子才会限域在ZnO／Si02界面附 近，从而为随机激射创造条件。 3．利用射频反应溅射制备CdZnO薄膜，研究热处理条件对薄膜晶体结构、 表面形貌及光致发光的影响。研究发现：随着快速热处理温度的提高与时间的延 长，CdZnO薄膜表面由于Cd的挥发加剧而形成更多的空洞，薄膜的近带边光致 偏压下产生源于CdZnO带边辐射的电致发光。 关键词：ZnO，CdZnO，光致发光，金属．绝缘体．半导体，电致发光 n Abstract Abstract of Withawidedirectbandof3．37eVand exaction 60 gap large bindingenergy meVatroom isconsideredasoneofthemost materials temperature，ZnO promising CdO for bandof is2．3eV．ZnOis ultraviolet(UV)optoelectronics．Thegap expected tobethe materialinvisible when witllCdO．Inthis photolectric region alloyed paper the ofsilicon-based hasbeenstudied． photoluminescenceZnO(CdZnO)films them deviceswere andtheelectroluminescentof Moreover,light-emittingprepared hasbeen achievementsareasfollows． investigated．111eprimary 1．ZnOfilmswere onthesiliconsubtractdirectcurrent deposited by sputteri