AllnN材料的生长及紫外LED的研制.pdfVIP

AI InN材料的生长及其紫外LED的研制 摘要 外与可见光区域，因此其材料在航空、军事、民用等领域具有非常广泛的应用前景， 其中采用GaN材料制作的器件已经在发光器件、激光器、光探测器以及高频和大功率 电子器件中获得了广泛应用，但对于GaN基中三元合金材料A1InN，目前国外与国内 合金材料，目的为了研究材料生长过程中出现的物理与化学问题，为今后器件的制备 提供科学依据。 本文对三元合金材料AIinN生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通 过理论设计并优化外延片结构参数，生长出了发光波长在338nm紫外发光芯片，目前 国内还没有这样的报道。并获得了如下有创新和意义的研究结果： 1：通过建立LED三维网络模型对流过GaN基LED的有源区电流分布进行了理论 研究，结果表明不仅电极的分布位置影响电流大小与电流的分布均匀性外，材料的结 构参数也会影响器件的发光特性。 2：研究了In和Al流量变化对合金中In组份的影响，此结果表明：在相同温度 和压强的生长条件下，In流量变化对合金中In组份影响不大，但Al流量变化对In 组份影响很大。 3：研究生长温度对AIInN外延材料中ln的组份影响，此结果表明：随着温度的 增加，ln的组份减小，当温度超过785℃时，外延材料出现相分离现象。 4：研究MOCVD生长室中压强变化对1n的组份影响，此结果表明：随着反应室生 长压强的增加，ln的组份减小，当压强达到300Torr时合金中In元素含量几乎为零。 5：对AIInN外延片中元素成份进行分析发现含有Ga元素，并对其来源进行了探 讨，可能来源于：(1)反应室基座含有Ga元素污染杂质，(2)反应通道中Ga元素的 残留物。 6：生长出了与GaN晶格相匹配的AllnN(Ga)合金材料，即无应变的材料。 LED芯片。 本论文得到国家自然科学基金和福建省自然科学基金的资助。 关键词：AIInN，金属有机化学气相沉积，发光二极管，x射线双晶衍射 Abstract materialCanbeturnedbetweentheband ThebandoftheGaN-based ofO．7ev gap gap awidefrontof emitters and6．2ev，whichis madeacross fromthe being light spanning Visible totheultraviolet GaN—basedmaterialhavethe spectrum spectrum，So，the in fields，such civilindustries。 applicationsmany as，navigate，military，some important GaNbasedmaterialhave onLEDs，short applications avelength and electronic highpower vices，buthavealittleof detectors，hightemperature report aboutAIlnN ternaryalloy。 In thisar