掺杂volt,xgt;薄膜制备及其性能研究.pdfVIP

掺杂VOx薄膜的制备及其性能研究 摘要 V02是一种具有广泛用途的热致相变材料，在68℃时发生半导体．金属相 变，由低温单斜结构变为高温四方金红石结构，并伴随发生光、电、磁等性能 的可逆性突变。 第一章简要介绍了V02的晶体结构及类型，VOx薄膜的应用以及常见的 VOx薄膜制备方法，概述了V02薄膜作为一种新型薄膜材料的应用前景。 第二章介绍了磁控溅射镀膜的机理和工艺特点，直流磁控溅射制备掺杂与 未掺杂VOx薄膜的实验过程，以及实验中用到的薄膜表征技术。 第三章研究了直流磁控溅射制备VO。薄膜的工艺，分析了退火气氛、退火 温度、退火时间、氧氩比、工作气压、衬底温度等对VOx薄膜电阻突变特性的 溅射功率120W、工作气压2．0Pa并且在氮气中退火的VOx薄膜结晶质量好， V02相含量多，电阻值的突变大。 第四章研究了双靶共溅射制备掺钨VO。薄膜的工艺，分析了改变钨靶溅射 功率以及共溅射时间对掺钨VOx薄膜的电阻突变性能的影响，对比了掺钨与未 掺钨薄膜电阻突变性能的不同点。 第五章采用直流磁控溅射制备了VOx／TiOx双层膜，分析了不同工艺参数制 备TiO。膜对VOx／TiOx双层膜的结构、电阻突变特性的影响。 第六章分别在室温和80℃研究了掺钨与未掺钨VOx薄膜随波数变化，光学 透过率的变化情况，结果表明，掺钨薄膜相变前后薄膜的光透过率明显下降， 掺钨较未掺钨VOx薄膜光学透过率明显下降。 关键词：VOx薄膜；磁控溅射；VOx／TiOx双层膜；钨掺杂；电阻．温度系数； 光学透过率 of Thin and VOx Films PreparationsPropertiesDoped Abstract Thefirst describesthe and briefly crystalstructure，the chapter types，applications of thinfilm．Italsosummarises methods the of V02 applicable preparation prospects thin VOxthinfilmasallew of filmmaterials． type nesecond describesthe mechanismand chapter magnetronsputtering technological and are characteristics．Both elaboratedon experimentaltechniquespreparedprocesses and thinfilmsDC VOx dopedundoped by magnetronsputtering． 3studiestheDC thinfilms．nle Chapter