氢对pecvd制备硅基薄膜沉积速率、膜结构及性能的影响.pdfVIP

摘 要 硅基薄膜作为一类重要的光电功能材料，由于其独特的性能，使其在新能源、信息显 示、光敏器件等高科技领域 有十分重要的应用价值。当前，氢化非晶硅(a-Si: H)薄膜 已经广泛应用于太阳能电池、液晶显示等领域。但是由于其含有大量的缺陷态 （主要是悬 挂键），使其在实际应用方面受到一定限制，其中最主要的问题是光致衰退效应。各国研 究人员经过大量研究，逐渐认识到氢对硅基薄膜的结构和性能有非常重要的影响作用。一 方面，氢以单氢化合物(Si-H)的方式与硅基薄膜相结合，起饱和薄膜中悬挂键的作用。这 使得氢化非晶硅的缺陷态密度比未氢化的非晶硅大大降低，从而使其符合器件级材料的要 求。另一方面，氢也以多氢化合物(Si-H、Si-H 和(Si-H) )的方式与硅基薄膜相结合， 2 3 2 n 从而引入新的缺陷，使带隙中的局域态密度增大。在硅基薄膜的制备过程中，氢对薄膜的 晶化有至关重要的作用，而薄膜的晶化又影响其光电性能，因此研究氢对硅基薄膜的作用 有十分重要的意义。 本文对采用PECVD 系统制备的硅基薄膜进行了光电性能的研究。本论文的研究内容主 要由四大部分组成。第一，通过选择不同衬底，设计不同工艺条件，制备不同结构和性能 的硅基薄膜；第二，通过傅立叶变换红外透射谱对硅基薄膜的氢含量及其键合模式进行分 析；第三，通过紫外-可见光光透射谱研究硅基薄膜的光学性能；第四，通过静电计分析 研究硅基薄膜的电学性能。本论文中，我们着重研究了氢稀释率对硅基薄膜生长速率、氢 含量及基键合模式影响，氢含量及其键合模式对薄膜光电性能结构的影响。本论文也简单 探讨了钠、镁、钙杂质对硅基薄膜电学性能的影响。实验结果表明，在一定范围内，随着 氢稀释率的提高，硅基薄膜的生长速率降低，氢含量增加，室温暗电导率减小，电导激活 能增大，光敏性变好。硅基薄膜中Si-H 形式的氢含量增大时，薄膜光 带隙减小。硅基 薄膜中的氢，尤其是Si-H 形式的氢有助于提高硅基薄膜的光电性能。硅基薄膜由于钠、 镁、钙杂质的进入会导致其光敏性降低，暗电导率变大、电导激活能变小。 键词：PECVD；硅基薄膜；氢；激活能 - I - Abstract As an important kind of optoelectronic function materials, Silicon based films have very important practical values in the high technology fields of new energy, information display and photo sensor because of its unique properties. Nowadays, hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) has already extensively been used in the fields of solar cells, liquid crystal display et al. However, because it contents lots of defect states (mainly dangling bonds), its application in practice has been confined in some ways. The main problem is the light-induced degradation (Staebler Wronski Effect). After a great deal of research work, scientistes all over the world have realized that hydrogen plays an important role in the structures and properties of Silicon based films. On the one hand, hydrogen incorporated as the form of monohydride (Si-H) can saturate dangling bonds i