无压烧结立方氮硼多晶材料及其性能研究.pdf

摘要 立方氮化硼(cBN)是最简单的III-V族人工合成材料，它不仅化学稳定性好、 耐高温，而且具有最大禁带宽度和高热导率，可以掺杂成n型和P型半导体材料。 cBN材料具有优异的电学和光学性能。高质量大尺寸cBN单晶合成非常困难， 这在较大程度上限制了cBN材料以单晶形式的直接应用。 本课题采用鲇、Si及其合金为结合剂，常压烧结cBN单晶微粉，研究了不 同体系结合剂对立方氮化硼多晶材料烧结和性能的影响。试验中采用x射线衍 射、x射线能谱、扫描电子显微镜等分析手段进行物相组成和显微结构分析，采 用高阻仪和荧光光谱仪分析了多晶材料的电学和光学性能。 实验结果表明在相同温度下，cBN多晶材料的的相对密度随着结合剂含量的 增加而升高。灿与cBN在烧结过程中发生液相参与的化学反应，反应生成A1N 和A1812新物相，存在于灿与cBN的界面；Si与cBN在所考察的温度范围不与 cBN反应。硅铝合金在低温下出现液相，能够很好解决添加Si出现的体积膨胀 问题，起到促进烧结的作用。 cBN多晶材料的体电阻率达到109／cm，由于空间电荷限制效应，cBN多 晶材料的电阻随着测试电压的升高变化很大。m．Si．cBN材料的介电常数大，介 电损耗低。 不同体系的cBN多晶材料发光强度均随烧结温度升高而增强。在200nm和 和556nm附近的单一发光峰，这是由cBN内部B原子和N原子复合空位引起的。 关键词：立方氮化硼：结合剂；无压烧结：电学性能；光致发光 ABSTRACT Cubicboron the III-Vmaterial．Ithasthe nitride(cBN)issimplestsynthetic thermal andshowschemicalandthermal largestband—gap，highconductivity hi．gh stabilities．cBNthatCanbe both has and dopedP·andn—typepromisingoptical electrical in of with properties．Howerver,thedifficultypreparationsinglecrystalhi．曲 has its limited quality application． Inthis of cubicboronnitrideand work,the pressurelesssinteringpolycrystalline its werestudied cBN and asthe properties by powderSi，A1，Si·A1alloy starting using materials．Themicrostructureand WaScharacterized phasecomposition byX-ray electron diffraction(XRD)，scanningmicroscope(SEM)，X-rayenergydispersive electrical analysis(EDS)．Roomtemperaturephotoluminescence(PL)andproperties wcTealso afluorescence and resistancemeter performedby spectrometerhi．gh r