硅衬底gan基光led光电性能研究.pdfVIP

摘要 摘要 QIN基绿光LED在全彩显示和固态照明领域有着重要的应用前景，由于其 量子阱内较高的m组份，使其材料中存在比蓝光LED更大的应力和极化电场， 从而使得绿光LED发光效率偏低，限制了LED的应用范围，因此如何提高GaN 基绿光LED发光效率成为本领域的热门课题。 LED结构，对其光电性能进 电子阻挡层的(一系列砧组份)绿光InGaN／CraN 行了研究。结果表明，不同舢组份样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现 多样性。在很低电流密度范围内，LED量子效率随舢组份升高而下降；在较 高电流密度范围，LED量子效率随砧组份升高而升高，即此时缓解了量子效 率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应)；但随着电流密度的进一步升 高，反而加快了量子效率衰退的速率。这些现象解释为不同触组份的P-AIGaN 对空穴和电子注入到量子阱进行复合的机理存在差异所致。 LED光功率达到23roW。其发光效率是目前文献 下，芯片尺寸5001．tm×500ttm 生长的商业化绿光LED的中上水平。可靠性研究表明，在常温200mA加速老 化持续点亮2005小时后，光衰仅为11．6％，开启电压变化小于0．1V。综合研究 结果表明：Si衬底功率型绿光LED具有巨大的发展前景和市场应用前景。 本论文得到了教育部长江学者与创新团队发展计划(批准号：姗30)、 基金(批准号：YC09A024)资助。 关键词：Si衬底；GaN；绿光LED；p-A1GaN；功率型 lI Abstract ABSTRACT a GaNbased diodeshasbeendemonstrated greentightemitting largepotential for infull-color andsotid-state of In appticafions display fighting．Becausehigh fractioninthe tight diodeshassufferedmoreserious quantumwell，greenemitting than diodes．The lossof andstrameffectsblue polarization lightemitting efficiency the diodesrestrictthe of greentight applicationtightemitting emitting diodes a tightemitting pereormancebecoming diodes．Recently,improvinggreen ofresearch． focus major We diodeson l withP—A1GaN growngreentightemitting Si(11)substrates electron hasdifferentA1fr