钽掺杂铪基高k介质薄膜的离子束制备与表征.pdf

钽掺杂铪基高k栅介质薄膜的离子束制备与表征 中文摘要 中文摘要 为了解决由栅介质层过薄而引起的漏电流显著增加的难题，人们引入了一种具有 高介电常数(高助的材料来取代传统的Si02。其中，铪基高k材料由于具备较高的介 电常数和结晶温度、优异的界面特性和热稳定性以及低的频率色散和漏电流被广泛关 注。 本实验采用双离子束沉积系统在本底真空5x104Pa和工作气压3．2x10之Pa条件 着重探究了薄膜微结构、介电特性与辅源离子能量、掺杂含量之间的潜在关系。此外， 性、导电机制的影响。 具有最小的平带电压偏移量、等效氧化层密度以及漏电流。研究表明合适的辅源能量 可有效改善薄膜生长机制，使薄膜由类岛状沉积转化为层状生长，从而提高晶粒均匀 性、薄膜平整度以及致密性，使薄膜具有较好的电学性质。(b)通过向Hf02中掺杂Ta元 高的结晶温度900C，小的平带电压偏移、氧化层电荷密度以及漏电流。(c)由于Pt Au样品的情况下，仍然具有最小的漏电流。总言之，Pt金属极具成为下一代MOS 器件中栅电极的潜质。 关键词：双离子束；Ta205薄膜；HITaO基电容；结构；电学特性 作 者：余涛 指导教师：诸葛兰剑吴雪梅 Abstract Theionbeam andcharacterizationofhafnium-baseddielectrictantalum preparation gate doped Theionbeam and 0Iof oreparation dielectrictantalum hafnium-·based gate doped Abstract Inordertosolvearemarkableincreasein current the tunnelingleakage through ultra-thin witha dielectric been gatedielectrics，materialshigh constant(high妨have to introducedas dielectricsalternativeconventional materials Si02，Hf-based gate high-k time ofits constantand havebeendrawnattentionfora because dielectric long high interfacial andthermal crystallizationtemperature，excellentproperties stabilities，low and current frequencydispersio