cu2o及其修zno薄膜的合成与性能调控研究.pdfVIP

摘要 摘要 氧化亚铜(Cu20)足一种典型的P型半导体材料，通常呈立方晶体结构，在 常温下禁带宽度为2．17eV。由于纳米级颗粒的量子尺寸效应，Cu20具有特殊的 光电特性及电化学性质，在超导体、制氢、太阳能电池和电致变色器件等方面有 着极其重要的应用。制备Cu20的原材料自然界储藏丰富、成本低、无毒性，而 且Cu20化学稳定性较好，光催化效率较高，因此被认为是一种具有良好应用前 景的光催化材料之一。氧化锌(ZnO)由于其能形成各种各样的纳米结构，如纳 米线、纳米带、纳米管、团簇、纳米纤维和纳米锥，而吸引了研究工作者浓厚的 兴趣。垂直于衬底排列的ZnO纳米棒(NRs)和纳米棒阵列由于其独特的性能值 得特别关注。高度有序的ZnO纳米结构有望增强各种技术设备的重要性能，如 短波长激光器、电致发光器件、传感器、光催化系统和第三代太阳能电池。ZnO 纳米棒的长度、直径和密度都是影响太阳能电池效率的重要参数。本论文围绕 Cu20、ZnO和两者复合薄膜材料，做了以下工作： (一)采用水热技术制备Cu20粉末，测试和讨论了不同反应温度下样品的结 oC) 构、表面形貌、化学组分及光学性质。XRD分析发现，在较低的反应温度(70 下葡萄糖不能将溶液中的cd+完全还原成Cu+，造成生成物中存在有大量杂质： 而反应温度过高(130oC)时，溶液中的cu2+被还原成Cu+后又继续被还原成金属 Cu，相应的产物纯度不高。对Cu20粒子的形貌与粒径研究发现，随着反应温度 增加，Cu20晶粒呈现增大的趋势。另外，反应温度升高，Cu20有团聚现象，而 且颗粒形貌由类球形转为立方堆积体。XPS测试表明，反应温度110oC的样品 样品Cu和O表面原子比约为2．3：I。 (二)在Ti片表面采用电沉积技术从醋酸铜和醋酸钠混合电解液沉积cu20薄 V、．0．3V、．0．5 膜。沉积过程中，控制电位分别为．0．1 V、一0。7V和一0．9V，沉积 后的薄膜在100oC温度下真空退火l h。利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜、紫 外可见光谱仪和荧光光潜仪分析薄膜样品的微结构、表面形貌和光学性质。x射 线衍射结果表明在一0．5V沉积电位下同时出现了立方结构Cu_,O和金属Cu的衍射 峰。Cu2_O衍射峰的强度随着沉移5电位的升高而下降，并且在．0．9V时，Cu20衍射 万方数据 Cu20硬其修饰ZnO薄膜的合成与性能调控研究 峰消失。这是由于在更高的电位下沉积Cu20薄膜时，沉积速率过快，导致结晶 V、 性能较差。SEM照片表明沉积电位对Cu20薄膜表面形貌具有重要影响。在．0．1 一0．3V和一0．5 V电压下沉积的Cu20薄膜是由规则多而体微晶组成。三111沉积电位升 V电压时表 高，Cu20薄膜从八葡体结构向立方结构转变，最后凝聚成团。在一0．5 V和．0．9V电位下沉积 现为凝聚的Cufl]立方Cu20共沉积，与XRD结果一致。一O．7 nm。紫外可见光 的薄膜样品为规则的球形颗粒形貌，颗粒的平均直径大致为50 谱分析表明一0．5V沉积的薄膜样品具有最强的光吸收，这是因为此电位下出现了 eV变化到2．03eV。在603