cu掺杂get的第一性原理研究及gete的电化学沉积.pdfVIP

摘要 摘要 相变存储材料在光存储和电存储领域具有广阔的应用前景，GeTe是其中首 次发现的综合性能优异的相变存储材料，己商业化应用在光存储器件。而作为电 存储介质，GeTe还存在功耗高、存储速度较慢等缺点，从而制约着其商业化应 用。因此，针对克服GeTe实际应用中的缺点，对GeTe基相变材料进行的低维 化和掺杂改性是当前研究的热点。本论文采用第一性原理方法系统研究了Cu掺 杂对GeTc结构稳定性和化学键合及能带结构的影响，研究结果提供了设计优异 性能的Cu．Ge．Te合金的理论基础；采用电化学沉积技术探索了GeTe薄膜的制 备，研究结果为探索低维GeTe纳米薄膜提供了理论指导。 本论文首先采用第一性原理方法系统研究了Cu掺杂GcTc先进相变存储材 料的结构与性能，并探讨了其形成能与掺杂机理。结果表明：在亚稳相中，Cu 的置换位置对合金性质的影响很小，Cu的团聚有利于结构的稳定，且Cu．Ge．Te 合金的韧性较差，但是Cu掺杂没有引起体系明显的晶格畸变。在稳相中，Cu 的掺杂引起了体系明显的晶格畸变；Cu与周围3个Te形成离子键，而Ge与周 围6个Te形成共价键。此外，对于两种结构的Cu掺杂GeTe，掺杂量都是有上 限的；且Ge空位的存在有利于Cu的掺杂，即Cu趋向于进入Gc空位。从能带 结构看，Cu取代Ge时带隙宽随Cu浓度的增大而减小，Cu填入Ge空位时趋势 则相反。带隙的变化与Cu3d电子有关，并将导致合金电学性能的变化。上述研 究结果将提供对Cu掺杂GeTc的理论理解，对发展新型相变储存材料有一定的 启发。 其次，采用电化学沉积方法探索了GeTe相变薄膜材料的制备。由于Ge离 子和Te离子的还原电位相差太远，在二元体系中难以实现GeTe的共沉积。因 此，本论文采用分步沉积法探索在导电玻璃基片上沉积GeTe薄膜。结果表明 Ge和Te的沉积顺序和溶液pH值对薄膜的成分和形貌有着显著的影响。初步获 得的薄膜均为多相组织，难以确定GeTc的成分。热处理后薄膜质量变差，是由 于电沉积薄膜太薄且质量太差造成的。后续工作应继续探索GeTe薄膜的电化学 制备工艺与合成机理，并探索Cu．Ge．Te薄膜的制备。 摘要 关键词：相变材料：第一性原理计算：电化学沉积：电子显微分析 Abstract Abstract materialshavebroad in andelectricaldata optical Phase-change application thatafirst material devices．GeTeis discoveredphase-change storage alloy prototype hasbeencommercializedin device．Asallelectricalrecord opticalstorage medium， the andslow thecommercial consumptionswitchingspeedprohibit hi【ghpower ofGeTeinelectrical toovercomethesedefectsofGeTein applications storage．Thus thin become of filmsa