fe-ni-c膜上石墨烯的制备、生长过程及其场发射特性研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文利用微波等离子体化学气相沉积方法制备了石墨烯薄膜。通过对不同种 类和结构的催化剂膜上制备出不同结构的碳膜，并对不同结构的碳膜的生长过程 进行了研究；对石墨烯薄膜进行场发射特性探讨分析，找到场发射特性较好的石 墨烯薄膜。通过研究，获得的结论如下： 1、Ni膜上碳膜结构的研究：通过对Ni膜厚度及不同沉积温度分别对Ni 膜上碳膜结构的影响研究发现，Ni膜的厚度越小，同样温度下形成的颗粒尺寸 也越小，较小的颗粒尺寸有利于纳米碳结构的生成，但碳结构的类型差别不大： 500oC制备的样品主要是包裹在Ni颗粒上的纳米石墨片，而400oC制备的样品 是纳米石墨片和碳纳米管复合物；可以得出结论：在Ni膜上没有制备出石墨烯 薄膜。 2、Fe．Ni-Cr膜上碳膜结构的研究：通过多次实验在Fe．Ni-Cr膜沉积碳膜并 进行扫描电子显微镜(S蹦)，Rattan光谱和透射电子显微镜(TEM)进行表征， 得出结论：在一定的PECvD条件下可以制备出少层石墨烯结构。 3、Fe-Ni-Cr膜厚度和不同衬底对石墨烯薄膜结构的影响：通过对催化剂膜 的不同厚度和三种不同衬底对石墨烯结构的影响研究发现，用Fe．Ni-Cr膜在一 定的厚度范围内作为催化剂可以制备石墨烯。10rain时的Fe．Ni-Cr膜较适宜碳 膜的生长；不同衬底上均制备出质量较好的石墨烯薄膜。 4、Fc-Ni-Cr对石墨烯催化生长过程的探讨：催化剂颗粒的大小影响石墨烯 的生长速度和结构特征，粒度越小，生长速度越快，越有利于石墨烯的生长。 Fe．Ni-Cr膜在CVD生长过程会由于高温会再结晶成更大的颗粒。硅衬底的粗糙 度约为0．9nm，陶瓷衬底的粗糙度约为2 pm，粗糙的表面阻碍了Fe．Ni-Cr颗粒 nm和100 的长大。两种衬底上催化剂的粒度分别约为20 nm，相应的硅衬底上 10rain后石墨烯才停止生长，而陶瓷衬底上生长lmin后石墨烯片基本上就不再 长大，并且由于催化剂粒度小，石墨烯的密度更大，层数更少。 5、石墨烯薄膜场发射性能：对在单晶硅衬底、陶瓷衬底和不锈钢片衬底上 制备出的石墨烯薄膜，进行场发射测试。稳定后，单晶硅衬底上石墨烯薄膜的开 启电场为1．2 V／gm，在2．4V4tm时电流密度达到900∥此舒；陶瓷衬底上石墨 烯薄膜的开启电场为1．26 V仙m，当电场强度为2．2V仙m时电流密度为2．1 n删cn4；不锈钢片衬底上石墨烯薄膜的开启电场为2．17Ⅶm，在电场为3．67 nw／cd。 V／gin时，电流密度为6．11 摘要 程场发射性能 Abs廿act Abstract chemical filmswere microwave Gmphem synthesizedbyusing vapordeposition fdms methodinthis ofdifferentsUuctures on films synthesized paper．Carbon catalyst Mvebeen the of ofdifferemkindsandstr