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ZnS：Cu纳米粒子的制备及发光性质研究 摘 要 Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体是直接带隙半导体，其能量覆盖了整个可见光范围，是一种 重要的光敏材料。ZnS半导体纳米材料不仅具有宽频带强吸收，还能产生光学非线性响 应，具有更优异的光电催化活性，在发光材料、非线性光学材料、光催化材料等方面应 用广泛，同时ZnS也是一种良好的基质材料，向ZnS基质掺杂激活剂后能够得到发光l生 能优异的掺杂型半导体纳米发光材料。本课题研究了ZnS：Cu纳米发光材料的制备和发 光性质，以及对金属离子的检测作用，并在此基础上对其表面进行修饰，目的在于降低 表面态影响，提高纳米粒子发光I生能，本论文主要工作总结如下： 1．采用了水相合成法制备了Cu离子掺杂的ZnS纳米粒子，分别研究了铜离子掺杂 浓度、反应温度、回流时间、pH值、锌硫比对ZnS：Cu纳米粒子光致发光性质的影响。 子的光学性能，通过X射线衍射(XP,D)和透射电子显微镜(TEM)对样品的物相和形貌 进行分析表征。分析结果显示实验合成了闪锌矿结构的ZnS：Cu纳米晶，其粒径均匀成 球状，分散性较好，粒径在2nm左右。通过单因素分析法得出了制备最佳发光性能 1，锌硫 ZnS：Cu纳米粒子的实验条件：铜离子掺杂浓度1．0at％，回流时间4h，pH值1 比为2：1。 2．以ZnS：Cu纳米晶为核心，分别在其表面包覆了ZnS、CdS壳层，制备了不同壳 PL等分析方法对纳米晶的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果发现适当的厚度的 壳层可以有效的提高ZnS：Cu纳米粒子的发光强度，不同的壳层材料对ZnS：Cu晶核的 发光性质影响有所区别。具体结论如下： (1)研究了不同厚度的ZnS壳层对ZnS：Cu纳米粒子发光性质的影响，采用XRD、 PL、PLE和UV-vis等测试方法对其进行了表征。从PL看出随着壳层的增厚，发射峰 强度先增加后减小，发光位置随壳层厚度增加出现蓝移，当ns／hc为2．5时发光强度达 核／壳结构。 ．i． (2)研究了不同厚度的CdS壳层对ZnS：Cu纳米粒子发光性质的影响，采用XRD、 PL和UV-vis等测试方法对其进行了表征。从PL看出随着壳层的增厚，发射峰强度先 增加后减小，发光峰位置出现红移，当n。／11c为1时纳米粒子发光强度达到最大，由此 可以看出适当厚度的CdS壳层对于ZnS：Cu纳米粒子具有较好的修饰作用，可以提高 核／壳结构。 3．用ZnS：Cu量子点来作为离子探针对各种常见的金属离子进行检测，结果发现 ZnS：Cu量子点对重金属Pb离子具有很好的选择作用。然后进一步对Pb离子进行了不 以作为离子探针对重金属Pb离子进行定量研究。 关键词：ZnS：Cu；纳米材料；发光；表面修饰 ^ ‘ - ‘ -● r．一 ^ I OnandI Uml neSCenCeI esOtZn：UU Preparat ProPert I S nanocrysta Abstract II一Ⅵsemiconductorsaredirectband the the semiconductors，with gap energycovering entirevisible areakindofimportant materials． li出range，SOthey photosensitive semiconductorZnSnot has broadband a