二维晶格失配外铝薄膜结构弛豫的分子动力学模拟.pdfVIP

摘 要 二维晶格失配外延生长是比较接近实际的薄膜生长模式，从原子水平上认 识二维晶格失配外延薄膜生长的本质规律，对于薄膜制备工艺参数的优化、薄 膜质量的提高都有非常重要的理论指导意义。本论文使用三维分子动力学方法， 势来计算铝原子之间的相互作用，采用了Langevin恒温算法来保持恒温，分别 层的二维晶格失配外延铝薄膜分别在士2％、“％、士6％失配度情况下的结构弛豫 进行了模拟研究。主要结论如下： 1．二维晶格失配情况下失配位错出现的厚度与温度和失配度有关：失配度 相同，不同温度下，出现失配位错的厚度也有所不同，在较高温度下，出现失 配位错的厚度略有减小；温度相同时，随着失配度的增大，失配位错的出现厚 度逐渐减小。 2．失配性质对二维晶格失配外延铝薄膜的结构和位错形成有较大影响：同 等条件下，负失配度时位错形成所需外延层厚度要比正失配度的更薄，或同厚 度时位错形成的时刻更早；负失配度情况下，位错的形成始于表层一个倒三角 锥形的间隙原子团；正失配度情况下，位错的形成始于表层原子凹陷的畸变区； 结构稳定后，负失配度体系在表层挤出局部原子层；正失配度体系四角上会出 现凹陷区。 关键词：位错；二维晶格失配：薄膜；铝；分子动力学模拟 ABSTRACT ABSTRACT mismatchis The undertheconditionoftwo—dimensionallattice epitaxialgrowth closetotheactualfilm itsessentialnatureof relatively growth．Knowing epitaxial has in in film fromtheatomic some significancetheory growth aspect leading thethinfilm andthe offilm．Thisthesis improving preparationprocess quality applies thethree—dimensionalmolecular thefourth—order simulations，using dynamics Predict-Correcttosolve of the motion，using algorithm systematicequation EmbeddedAtomicMethod tocalculatetheinteraction Many-bodypotential among aluminum constant tomaintainthe atomics，usingLangevin temperaturealgorithm ofstructuralrelaxationof constant offers