化学机械抛光的动性能和温度场的计算.pdfVIP

中文摘要 Circuit,IC)组件的特征尺寸的逐渐减小，集成度 摘要：随着集成电路(Integrated 的提高、多层布线数目的增加以及新材料的引入，对其表面的平整度要求越来越 来高；另外，为了提高计算机磁盘的存储密度，磁头和磁盘的表面的粗糙度需要 到达纳米级，表面的全局平整度要求已成为当今电子工业所面临的挑战，而传统 的表面加工手段已很难达到加工要求，而化学机械抛光(ChemicalMechanical 展起来，对CMP的研究也成为当今的热点问题。 本文主要是应用流体力学理论对其流动性能的研究，首先推导了CMP抛光过 程一般情况下的流动方程，介绍了流动方程求解过程，给出了一个典型工况下的 压力分布，法向载荷、转矩、节距、姿态角和抛光垫转速之间的变化关系，并进 一步分析和考虑了抛光垫表面特性和纳米级粒子作用下的流动性能，同时运用热 力学理论，对在抛光垫粗糙接触下的温度场进行了模拟和计算，研究发现，在精 抛阶段，温度变化可以忽略不计，符合CMP的加工要求。在计算中采用了耦合线 松弛技术和多重网格算法，得到快速稳定的收敛程序，计算过程采用C++编程求 解。分析了不同工艺参数下的压力、转矩、载荷和温度的变化趋势，并参照相关 实验进行了验证。 关键词：化学机械抛光(CMP)；抛光垫；抛光液；流动；温度场 分类号：THll7 ABSTRACT ABSTRACT：The featuresizeof thecircuit and progressively components decreasing have tremendousto surface increasinglayers given impetus global increasing theVariolls of thinfilm thatconstitutethe plausrization layers integratedcircuits(Ic)， whereinmorenewmaterialsbeen inthe have the appliedmanufacturingprocess．On other the surface hand,to of of developstoragedensiWmagneticdisks，the roughness the thesurface must head,and beachievedof magnetdisk,magnetic quality nano-scale．Globalis oneofthemost in planarizafion becoming challengespresent electronic thetraditional isdifficultto