高压二氧化钛环压敏电阻器的研制.pdfVIP

高压二氧化钛环形压敏电阻器的研制 摘 要 近年来，随着各种家用电器、通信设备、工业电子设备中集成电路及大规模 集成电路的广泛应用与发展，各种半导体元件对过电压、浪涌、噪声等非常敏感， 经常发生误动作或元件损伤，导致各种事故的产生。为了消噪灭弧及消除脉冲信 号和人体静电对设备的影响，压敏电阻器应运而生。自从氧化锌的压敏特性被人 们提出以来，氧化锌压敏电阻器就以其优异的压敏性能长期占据着压敏电子器件 市场，尤其在高压器件领域，已经广泛应用于各种高压电机及输电线路。但作为 纯电阻元件，氧化锌压敏电阻器不能适应目前多功能化发展方向的需要，因此研 究开发压敏一电容多功能的压敏电阻器，寻求氧化锌压敏电阻器的可替代产品已 成为目前的研究热点。在低压领域，上世纪80年代开始研究的SrTi03压敏电阻 器已完全可满足需求，因此在高压领域开发Ti02高压压敏电阻器将具有广泛的 应用前景。 本论文首先选取Nb205为施主掺杂剂，选取BaC03及SrC03为受主掺杂剂， 选取Bi203为烧结助剂，在较宽的因素水平范围内进行正交实验，找到各种掺杂 成分对压敏电阻器电性能的影响规律。结果表明以SrC03为受主掺杂剂获得的样 品压敏电压偏低，非线性系数较小，虽然有较高的静电容量，但不能满足高压压 敏电阻器性能指标要求；而以BaC03为受主掺杂剂获得的样品压敏电压、非线 性系数和静电容量相对较高，如果加以改进，有获得符合要求的高压压敏电阻器 的可能性。对掺杂BaC03配方进行较小变化范围的正交实验，结果表明Nb的最 佳掺杂量为0．2m01％，并且随Ba和Bi掺杂量的减小及烧结温度的降低，样品 的压敏电阻呈增大趋势。利用XRD、扫描电镜、透射电镜等对获得的样品进行 了表征，分析发现同一掺杂体系样品的压敏电压随着晶粒尺寸的减小而增大。对 Ba和Bi掺杂量的继续减小作了进一步研究，找到了Ba和Bi掺杂量的极值点。 Nb、Ba、Bi掺杂体系能获得样品压敏电压最高值仅为224．61V／mm，其他各项性 能参数均符合指标要求，但由于压敏电压相对偏低，仍不能进行批量生产。 其次选用Sb203代替Bi203作为烧结助剂，考察了不同Sb掺杂量对压敏电 阻器电性能的影响规律。结果表明，随Sb掺杂量的降低，样品的压敏电压和非 m01％。利 线性系数呈现先减小后增大的趋势，其中在Sb掺杂量的极值点在0．1 用XRD、扫描电镜、透射电镜对所得样品进行了表征，结果显示在Sb掺杂体系 中样品的压敏电压也随晶粒尺寸的增大而降低。含Sb配方在1350℃下获得了 60～360 V／mm的变化范围较宽的压敏电压，并且压敏电压在200V／mm以上的样 品其非线性系数及其他性能参数均符合指标要求，可以以含Sb配方为基础进行 放大实验并实现批量生产。另外，采用水热法对原料钛白粉进行了处理，在各种 处理条件下得到的水热钛白粉制备的器件在1lJA电流下具有102数量级的电压 值，静电容量只有20pF左右，推测这种器件不具备电压一电流非线性，并且制 备Ti02压敏电阻器的原料Ti02必须是锐钛矿相的。 再次分别选取含Bi和含Sb配方进行叠层烧结实验，考察不同堆叠烧结方式 对各种配方样品电性能的影响。研究发现堆叠烧结可以显著提高样品的压敏电压 和非线性系数，同时使静电容量和介电损耗降低，其中侧面垂直堆叠烧结对含 Bi配方样品压敏电压的提高作用较明显，而平面垂直堆叠烧结对含Sb配方样品 压敏电压的提高效果较明显。另外，采用侧面垂直堆叠烧结使得样品的压敏电压 极间差较高。总的来看，平面垂直堆叠烧结的含Sb配方样品较符合性能指标要 求及实际生产需要。采用这种方法对小批量样品进行了烧结，获得样品各方面性 能均符合指标要求，合格率达到100％。 关键词：二氧化钛；高压；氧化铋；氧化锑；叠层烧结； Research and of Ti02 varistors develophighvoltagering Abstract Inrecent thewide and oflCandLSIinall years，with applicationdevelopme