掺杂ga2te基半导体材料的结构与热电性能研究.pdfVIP

掺杂Ga2Te3基半导体材料的结构与热电性能研究 摘要 闪锌矿晶体结构，空间群为F-43m，禁带宽度为1．65eV。由于内部具有周 期性的超晶格空位面，载流子及声子的输运阻力大，因此本征材料电导率 及热导率均很低。本课题主要通过对Ga2Te3基半导体材料进行热处理和不 同元素或化合物掺杂，研究材料成分，结构与热电性能之间的关系。主要 研究结果总结如下： 1．根据前期研究积累，通过对退火后材料的形成能计算和结构精修， 证实掺杂Cu原子占据在Ga的晶格位置，扰乱了Ga空位的周期排布：其 中，退火30天后的样品形成了雨滴状纳米条空位面，增强了对声子的散射 能力，有效降低了晶格热导率，显著提高了材料的热电性能；在734K时， 退火30天样品的Z丁值达到最高值O．41，是同等温度下本征材料的2．5倍。 同时还观察到，随着退火时间由30天延长到95天，不连续的空位面发生 重组，削弱了对声子的散射能力，晶格热导率增大，限制了热电性能的进 一步提升。 2． 分别设计并制备了 Ga2《CdxTe3(x=0．05，0．1，0．1 电性能才能得到明显的提高。其中m=O．98时材料的电导率最高，z丁值达 到最高值0．55(682K)，是本征Ga2Te3最大Z丁值的3．4倍。 万方数据 3．设计制备了Mn掺杂MnxGazTe3(x=O．005，0．01，0．02，0．05，0．1，0．2，O．3) 化合物。与本征材料相比，材料的Seebeck系数降低，电导率提高，热导率 变化不明显。在640K时，Mno伽5Ga2Te3的Z丁值达到最大值0．16。 10K．750K范围 G=O．01，0．05，0．1,0．2，0．3)化合物。实验发现在675K-700K和7 内出现了电学性能的突变，原因是在该两个温区出现了相变。在793K时， 7。 Zr值达到最大值0．1 具有复相组织的Ga2So．3Te2．7 关键词：Ga2Te3，超晶格空位面，晶格热导率，热处理，掺杂 万方数据 OF ANDTHERMOELECTRICPROPERTIES STURCTURES SEMICONDUCTORS DOPED．．Ga2Te3--BASED ABSTRACT isoneofthe cubic Ga2Te3 typical crystal the wide structure A21ⅡB3V1 bandgap type compounds(Eg=1．65eV)among inherert semiconductor isF-43m．Duetothe materials，whosegroup space to isa