无压浸渗法制备-sicpal电子封装材料工艺与性能研究.pdf

论文题目： 无压浸渗法制备fl-SiCp／Al电子封装材料工艺与性能研究 专 业： 材料学 硕士生： 刘媛媛 (签名) 指导教师： 王晓刚 (签名) 摘要 fl-SiCp／Al复合材料具有高导热、低膨胀、高模量、高化学稳定性、低密度等优异的 性能，在电子封装领域具有广阔的应用前景。由于无压浸渗技术具有成本低、工艺简便、 便于产业化等优点，常用于制备高体积分数的颗粒增强金属基复合材料，因此本文在常 压空气气氛中采用无压浸渗法制各高SiC颗粒体积分数的fl-SiCp／Al电子封装材料。 采用50。um、5pm的单颗粒以及两者组成的双颗粒配比法，经冷压成型得到预制体， 并通过沸煮法测得体积率，表明双颗粒配比可以有效提高fl-SiCv／Al的体积分数；在 30Mpa压力下，对不同粗细颗粒配比的SiC预制体体积率进行测试，结果表明：随着粗 颗粒含量的增加SiC体积率先增后降，当粗细颗粒质量比为3：1时SiC体积率可达最大 值72％，且届一SiCp／A1电子封装材料的体积分数可以在51％72％之间进行调节。 通过对SiC表面进行预处理(高温氧化法和表面涂覆法)、在合金中添加不同质量分 数的Mg作为活性剂、在预制体中添加不同质量分数的助渗剂等方法来探索其对Al和 SiC的润湿性及浸渗过程的影响。实验表明，高温氧化与表面涂覆硅溶胶均可提高SiC 颗粒与熔融铝液之间的润湿性，增加基体合金中的Mg元素含量可以提高浸渗速度并缩 短孕育期，研究发现熔融金属液中Mg元素含量的最佳值为6．3％，在预制体中添加15％ 的助渗剂可以改善浸渗效果。 通过扫描电镜能谱分析、XRD相分析，研究界面元素富集状况以及界面反应情况， 界面反应受控于反应时间、反应温度、以及合金中Mg元素的含量。 采用机械杠杆仪法测试了复合材料的热膨胀系数。测试表明，SiC体积率66％的 也减小，随着致密度的增大而增大。 热膨胀系数为6．11x106K-I,100。C时热导率为154．2W·m～·K-1，可以满足新一代大功率电 子器件电子封装的要求。 关键词：电子封装；无压浸渗：热膨胀系数；热导率；复合材料：界面 研究类型：应用研究 ProPerties Electronic and Packaging ：Fabrication offl-SiCp／Ai Subject Infiltration Pressureless Material by Science ：Materials Specialty Name ：liuyuanyuan (Signature) Xiaogang (Signature) Instructor：Wang ABSTRACT of thermal module， Withexcellent high conductivity,lowexpansion，high highquality of andlow greatpotential chemical compositeenjoys high stabil