ESD保护栅结构的Trench+MOSFET设计制造.pdfVIP

ESB保护栅结构的TrenchMOSFET设计制造 摘要 摘 要 功率MOSFET是将微电子技术和电力电子技术融合起来的新一代功率半导体 器件。因其具有输入阻抗高、开关速度快、输出电流大和热稳定性好、安全工作 区宽等优点，在电源保护、电源开关、De／DC变换器和同步整流等电子设备中得 到广泛应用。 本文给出了·种带有ESD保护栅结构的TrenchMOSFET的设计流程。和普通 通MOSFET显著提高。本文的目的是在达到设计目标的同时尽量减少光刻版的层 数，降低单位面积的导通电阻，从而有效控制成本。 展、应用以及市场前景等。第二部分是理论基础，介绍了Trench 的理论知识，提出了在栅极区制造ESD保护结构方法，此方法可以有效控制芯片 面积。第三部分是工程实践，首先通过经典理论公式推导出外延片规格；终端结 构使用场板、多晶硅场限环和截止环的复合结构；ESD保护二极管先P型掺杂再 N型注入的顺序使N注入可以和N+源区同时形成，减少了光刻版的数量；接下来 装数据对模拟条件进行校准和调整，最终的结果完全满足了预期的设计目标。 关键词：TrenchMOSFET，ESD保护，模拟，HBM