脉冲控制忆阻模拟存储器.pdfVIP

本期“复杂性科学” 专栏评述 ◆李绍荣◆ ◎评《脉冲控制忆阻模拟存储器》 1971年，美国加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠教授从理论上预言了忆阻器的存在，并推测电 路有天然的记忆能力，即使电力中断亦然。虽然这一预测提出已近40年，但一直无人能证实这一现象的存 在。 2008年，美国惠普公司实验室的斯坦·威廉斯和同事在进行极小型电路实验时，制造出忆阻的实物模 型，证实了忆阻现象在纳米尺度的电子系统中确实是天然存在的．他们的发现可帮助解释过去50年来在电 子装置中所观察到的明显异常的回滞电流一电压行为的很多例子，并对计算及计算机科学产生了深远的影响。 目前，许多研究已在如何得到忆阻器的应用模型上开展。如可利用忆阻器构造新型的非易失性随机存 储器．利用忆阻器具有关闭电源后仍可以保存信息的能力制成芯片，可比目前的闪存更快地保存信息，消 耗更少的电力，占用更少的空间。通过忆阻器实现电脑类似于人类大脑搜集、理解一系列事情的模式，计 算机在找出自己保存的数据时更加智能。利用忆阻器开发模拟式计算机，不用“l”和“0”状态，而用模 拟状态代替，使计算机在理解与判断上接近人脑，远优于目前的数字式计算机，如用在脸部识别上，比数 字式计算机要快几千到几百万倍． 文章《脉冲控制忆阻模拟存储器》在实现模拟存