la-sr-m-o掺杂及复合材料结构和磁电输运性质研究.pdf

摘要 摘要 锰氧化物是一种重要的功能材料，从1950年到现在对这种材料的研究一 直引起研究人员的强烈兴趣。从1950年到1990年主要集中在二价离子掺杂的 性能上，主要研究它的铁磁金属性能，在二价离子掺杂浓度为1／3时，铁磁金 属性能最好，并提出了双交换模型对此性能作了深入阐述。从1990年开始到现 在在锰氧化物中发现了巨磁电阻效应、晶界效应和磁热效应再次掀起了这种材 料的研究热潮。这种材料有望在硬盘读出磁头和室温磁制冷等领域显示巨大应 用前景。 左右，高于室温，是一种非常有希望能走向应用的材料。但目前这种材料面对 许多技术难题，室温的磁电阻效应太小：所需要的外加磁场过大，达到几个特 斯拉；低场下的磁电阻值很低，对低场的磁电输运机理还不是很深入。本论文 对二价Zn离子掺杂取代La位的结构和磁电输运性能进行了研究。在 宽度的半导体(CuO，Zn0，A1203)，具有铁磁绝缘性能的铁氧体等等，研究其不 同功能的材料的耦合效应及对自旋相关散射和隧穿效应的影响，得到以下有意 义的结果并且对其中机理作了深入阐述： 具有钙钛矿型结构，但在Zn掺杂浓度为1／3时，电阻率最小，磁电阻值很低。 研究发现替代后保持钙钛矿型结构，居里温度下降，居里转变点附近的磁电阻 值升高。这说明Zn2+取代Sr2+是提高室温磁电阻的重要手段。 着掺杂浓度升高，电阻率增大，在5m01％掺杂浓度，电阻率升高了两个数量级。 结果电阻率降低了一半。这些结果表明LSMO／BTO／LSMO结构主导着 LSMO／BTO复合材料的磁电输运性质。在5T磁场下，低温下电阻率下降很大是 由于自旋电子隧穿绝缘晶界引起，而高温下电阻率在5T磁场下降低很少是由于 Ⅱ 摘要 高温下自旋电子热隧穿绝缘晶界引起。掺BTO的磁电阻随温度变化表现出与LSMO 化合物不同的行为。磁电阻随温度增加而单调降低。随掺杂浓度增大，低温下 的磁电阻增大而高温下磁电阻 3、降低。磁电阻随磁场关系变化表明在低温下掺杂浓度增大，低场下的磁 电阻降低，而高磁场下的磁电阻增大。 3用水热法制备了‘BaTi03粉体。研究表明Ba／Ti比和水热反应的碱性对水 热反应的产物有很大影响。Ba／Ti比越大，碱性越强越有利于水热反应。用这种 反应制备的粉末掺入到LSMO中，发现掺杂浓度为20％时，室温电阻率依然很小。 化物。研究发现掺入CuO和ZnO的复合材料电阻率随温度变化出现了两个峰， 高温的电阻率最大值与LSMO的最大电阻率接近，且电阻率峰所对应的温度与 降。这些结果表明LSMO／第二相／LSMO结构的势垒决定着复合材料的磁电输运性 质。ZnO虽然室温下的禁带宽度为3．30ev，但在烧结时容易分解产生Zn间隙和 O空位，CuO的禁带宽度比较低(1．1ev)，使得载流子可以越过势垒而导电，高 温下第二相是导通的。而A1203禁带宽度比较高，所以对载流子的势垒散射较强。 在5T高磁场下载流子在低温下可以自旋极化隧穿绝缘相，而高温下载流子热隧 穿绝缘相导致磁电阻很小。 5 BaO．6Fe203(BaM)硬磁绝缘相，一方面磁性晶粒之间存在磁性耦合，另一方面存 在自旋极化的散射和隧穿效应，磁性耦合必然对这种自旋极化散射和隧穿效应 产生影响。MZF加入到LSMO材料中磁化强度降低，同时电阻率增大，在5T 高磁场下低温电阻率降低很大。磁电阻随温度升高而降低。BaM掺入到LSMO 中后，复合材料的磁性表现为硬磁性，电阻率急剧升高。这些结果表明硬磁BalVl 对软磁晶粒和自旋极化载流子具有强烈的钉扎作用。 关键词：锰氧化物；复合材料；磁电阻；自旋相关散射和隧穿效应；磁性耦合 m ABSTRACT ABSTRACT of functionalmaterialwhichhas stimulated areakind always strong Manganites important 950s．From1950to1