si基led材位错与器件钝化研究.pdfVIP

摘要 摘 要 相对于蓝宝石和SiC而言，Si衬底与GaN薄膜之间存在着更大的晶格失配 和热失配，Si衬底GaN基LED外延膜生长技术和器件的稳定性面临着更大的挑 LED外延膜位错表征两方面做了些研究，获得的主要研究成果有： 1、首次系统的研究了H等离子体对Si衬底GaN基LED反向电压及开启电 压的影响。不同气体预处理实验、退火实验和温度实验等充分证明：PECVD法生 长SiN过程中，有一定量的H扩散进p-GaN的侧壁，与Mg形成络合物，降低 了P．GaN侧壁附近的导电率，减少了LED工作过程中侧壁附近缺陷的扩展，从 而提高了芯片老化后的反向电压。另外、H—Mg络合物在GaN基LED中形成深 能级，提高了小电压下电子的跃迁的几率，从而降低了Si衬底GaN基LED的 开启电压。 2、致密的SiN钝化膜给Si衬底GaN基LED施予了压应力作用，阻止了老 化过程中芯片压电场向不利方向转变，从而减小了Si衬底GaN基LED老化后 的光衰。SN钝化膜有利于降低GaN基LED的光衰，在国内外尚没有报导过。 3、XRD实验拟合数据显示：本实验室生长的Si衬底GaN基LED外延膜 一数值与商业化的蓝宝石、SiC基LED位错密度处于同一数量级，表明实验用的 膜表面缺陷进行了较为系统的表征，测试得到位错露头、孔洞等缺陷的孔径、 孔深和密度等数据，较好的反映了外延膜表面的结晶质量。 延膜的位错密度，按照大孔径腐蚀坑对应着螺旋及混合位错，dqL径腐蚀坑对 应着刃位错的理论，发现实验用的Si衬底GaN基LED外延膜样品中，刃位错 密度约比螺旋位错高出1-2个数量级；另外，相对于绿光外延膜来说，蓝光外 延膜有更高密度的螺旋位错和较低密度的刃位错。 关键词：Si衬底；GaN基LED；SiN钝化膜；位错；H3P04腐蚀法 II ABSTRACT ABSTRACT with andSiC has thermalandlattice substrates，Si Comparedsapphire larger with mismatch to and of GaN，that bringstoughchallengeepitaxygrowthreliability GaN LEDon based Sisubstrate．Thisdissertationfocusontow directions major the of influenceSiN totheGaNbasedblueLEDonSi including passivationlayer and substratethe ondislocationofGaN mainresults study density epitaxylayer．The ofourresearch areas following： the ofSiN numberofHionshave 1．Duringdepositionpassivationlayer,agreat diffusedinto inthesidewall which p-GaN vi