zns和zno米材料的制备及其光致发光性能的研究.pdf

摘要 摘要 纳米ZnS和ZnO是宽禁带半导体材料，由于具有量子限域效应、尺寸效应和 优越的荧光特性等优点而吸引了众多研究者的目光。因此，在近十几年里，ZnS 和ZnO纳米材料已经在光催化、传感器、透明电极、荧光探针、二极管、太阳能 电池和激光器等领域的研究中显示出了巨大的发展潜力。通过在ZnS和ZnO基质 中掺杂不同离子可以调节这些宽禁带纳米半导体材料的电学、光学和磁学特性， 从而使它们得到更广泛的应用。由于发光特性是纳米半导体材料的一个重要特 性，对ZnS和ZnO及其掺杂型纳米粒子发光特性进行研究不仅有科研方面的意义， 而且在实际应用方面也有潜在的价值。因此，本论文针对ZnS署IZnO及其掺杂型 纳米粒子的制备和光谱性能展开研究，主要的研究内容和结果如下： (1)分别采用沉淀法和固相法合成了不同粒径的ZnS纳米粒子，X射线衍射分 析，透射和扫描电镜测试表明所有样品均为闪锌矿结构，平均粒径分别约为 6．40nm和9．48nm。与沉淀法相比，固相法制备的ZnS纳米粒子的结晶度更好，发 光强度更强。 的掺杂能调节ZnS纳米粒子的带隙宽度。 (3)采用低温固相法制备TZnS：O玉纳米粒子，研究702’的掺杂浓度、反应 条件和退火条件对样品荧光特性的影响，讨论TZnS：O二纳米粒子的荧光发射机 理，研究结果表明：与ZnS纳米粒子相比，O玉掺杂后的样品室温下蓝色发光强度 相对增强，这表明掺杂后的样品具有良好的光学性质。当初始原料中Zn和O的摩 尔比为10：5．3时，样品的发射强度最强，其强度为未掺杂ZnS样品的9倍。研究反 反应时间和反应温度分别为3h和130。C。同时，通过研究退火条件的影响时，发 现：退火能使ZnS：02。(Zn／O=10：5．3)样品粒径和发光强度增加，最佳退火条件为： 空气中退火时，最佳退火时间和退火温度分别为0．5h和100。C；而在真空中退火 时，最佳退火时间和退火温度则分别为3h和150℃。 (4)采用固相法制备了卤素掺杂的ZnS纳米粒子，光谱测试结果表明：卤素 离子的掺杂，能提高样品的发光强度，最佳的反应摩尔比分别为：F／Zn=0．3， Ⅱ 摘要 样品荧光性能影响时，发现：PVA能有效减少卤素掺杂的ZnS纳米粒子的表面悬 挂键，提高样品的发光强度。 (5)分别采用溶胶．凝胶法和低温固相法合成了ZnO纳米粒子，测试结果表明 所有样品均为六角纤锌矿结构，平均粒径分别为17．42nm幂120．28nm。与溶胶．凝 胶法相比，固相法制备的ZnO纳米粒子的结晶度好，发光强度较强。通过探讨反 应条件对溶胶．凝胶法制备的ZnO纳米粒子的晶体结构和发光性能的影响，发现： 当反应温度为60℃，反应时间由6h增加至lOh时，ZnO纳米粒子的粒径由16．0nm 增大到30．2nm，反应时间为7h的样品的发光强度最强；当反应时间为7h，反应温 为60。C的样品的发光强度最强。不同退火条件对样品性能影响的研究结果表明： 退火处理能改善样品的结晶度，增大粒径，提高发光强度。最佳退火温度和退火 时间分别为100。C和0．5h。另外，在该退火条件下，真空退火样品的荧光强度高 于空气退火的样品，这是由于真空退火能更有效的使样品表面吸附的氧原子发生 脱附反应。 (6)采用低温圆相法制备ZnO：S2。纳米粒子和ZnS／ZnO：S2‘纳米异质结材料，研 究发现：当S2‘的掺杂量低于S2‘在ZnOqb的固溶度时，产物为ZnO：S二纳米粒子； 当S2’的掺杂量高于ZnS和ZnO的固溶度时，除了生成ZnO：S2。纳米粒子外，还存在 ZnS纳米颗粒，形成znscznO：S二纳米异质结。荧光光谱表明：ZnO：S2。纳米粒子的 发光强度高于ZnO样品的，但是却低于ZnS／ZnO：S2。纳米异质结材料的荧光强度， 而且ZnS／ZnO：S2。纳米异质结的发光强度约为ZnO样品的25倍。其原因是：对 ZnO：S2。纳米粒子而言，S2。掺杂能有效提高样品的辐射复合发光几率，增强样品 的荧光强度，而ZnS／ZnO：S2。纳米异质结材料中，表面层的ZnS纳米粒子能起到修 饰ZnO：S2’纳米粒子表面的作用，从而降低表面缺陷态浓度，提高样品的荧光强 度。 (7)采用低温固相法制备了zno：M矿+纳米粒子，研究结果表明：M92+的掺杂 能引起锌空位，镁间隙等新缺陷的