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硕士论文 n-i．P型非晶硅薄膜太阳电池的制备及性能研究 摘 要 在全球硅材料日趋紧缺、价格不断上涨的背景下，非晶硅薄膜太阳电池因其材料消 耗少、成本低、性能提升空间大而越来越受到世界各国的关注。本文在制备n-i-P型非 晶硅薄膜太阳电池的基础上，重点研究了衬底形貌、背反层结构以及窗口层工艺条件与 电池性能的联系。 首先，我们将一种新颖的具有准周期性纳米坑状织构的Al衬底应用到n．i．P型非晶 号：Asahi ANSl4)及平板衬底的n．i．P型非晶硅电池性能做了比较。表征结果显示，纳 米坑状Al衬底电池的外量子效率(ExtemalQuantum rim波段的 Efficiency)在500—800 光谱响应最高且短路电流密度以及最终的光电转换效率均高于其它两种衬底的电池。通 过对表征结果的分析，我们认为这种纳米坑状Al衬底具有优良的陷光作用，其陷光效 果甚至优于商用FTO衬底。 其次，基于这种纳米坑状Al衬底，我们设计了三种不同结构的背反层，并在其上 沉积了n．i．P型非晶硅电池。表征结果显示，基于三种不同背反层结构的电池其短路电 流差异明显。我们分析了其中的原因，并根据结论重新设计了一种背反层结构，为后续 工作做参考。 复次，根据上面的结果，我们意识到铝掺杂的氧化锌(ZnO：A1，简称AZO)隔离 Time-Domain) 层对陷光作用的重要影响。因而，我们结合有限差分时域(Finite．Difference 模拟法和实验表征的手段深入研究了背反层结构中AZO层厚度与基于纳米坑状Al衬底 电池光学、电学性能的内在联系。模拟以及实验结果显示，调控AZO厚度能够改变电 池内部的电场分布，并对电池的短路电流、开路电压、填充因子等都有较大的影响。最 终，当AZO厚度为100nm时，电池具有最高的光电转化效率。 再次，考虑到太阳能电池的性能对窗口层特性非常敏感。我们优化了P层的硼烷掺 杂浓度、厚度以及沉积温度，并应用到n．i．P型非晶硅电池中，提高了电池的性能。 最后，通过前期一系列工艺参数的优化，我们目前在纳米坑状A1衬底上制备的n—i．P 型非晶硅薄膜电池初始转化效率达8．2％。对该电池进行200小时的光致衰减实验后发 现，电池的短路电流密度下降了7．41％。电池最终稳定的光电转换效率仍然可达7．44％。 关键词： n．i．P型非晶硅电池，准周期纳米坑状铝衬底，背反层结构，AZO隔离层， 窗ISl层优化 Abs仃act 硕士论文 Abstract Inviewofthe and ofsiliconraw silicon materials，the shortagepricerising amorphous solarcellshavebeen concernedthe overtheworld (a—Si)film increasinglyby governments duetotheirlessmaterial costand for consuming，lowergreaterpotentialperformance enhancement．Inthis onthefabricationofthe a-Sisolarcells．we paper,based n-i—Ptype focusedonthe ofc