碳化硅单晶微管陷的表征及分布规律研究.pdfVIP

摘要 摘要 碳化硅作为最新的第三代半导体材料，具有耐高温、高热导率、高击穿电压 等优异特性，碳化硅器件可以在极端条件下工作。本文介绍了碳化硅单晶的生长 过程及其性质，尤其对影响碳化硅单晶品质的各种缺陷做了详细的说明。微管缺 陷作为对碳化硅单晶电性能影响最大的缺陷是本文研究的重点，同时对其他缺陷 进行表征。 本文用拉曼光谱仪、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜对升华法生长的 6H．SiC单晶的晶型、品质及SiC单晶中的微管缺陷进行表征从而确定碳化硅单晶 的晶型，品质以及缺陷的种类，同时观察到微管的分裂和空洞缺陷，并提出它们 的形成机理。用光学显微镜观察发现碳化硅单晶腐蚀前的微管数和腐蚀后的腐蚀 坑数目大致是一样的，证明了可以用光学显微镜对晶片上的微管密度进行观察计 数。对数个2英寸的碳化硅晶片用不同的视场大小及不同的取点方式计算晶片上 的碳化硅微管密度，发现微管密度的分布基本上是环状分布，视场面积和取点数 同时会影响计数的偏差，实验证明用平均分布取点可以获得较精确的微管数目。 la 在对同一碳化硅单晶片上的微管孔径进行统计后发现微管孔径介于0．7m到15．4 p 1．t 1．t m之间，分布类似高斯分布，微管数目最大值出现在3m到3．5m之间。 目前，碳化硅的研究仍然处于起步阶段，尤其是对缺陷的表征、形成机理和 分布都没有深入的研究。对于微管的分裂和空洞形成机理仍需要进一步的理论分 析和试验研究。对于微管密度分布的数据仍然很少，需要在不同晶面的碳化硅晶 片上进行全面统计，微管的孔径分布方面的研究还很少，还没有上升到理论阶段， 因此对碳化硅单晶微管特性还有很多研究工作要做。 关键词碳化硅单晶微管分布腐蚀 摘要 Abstract Siliconcarbideasthethirderasemiconductorhasexcellent suchas propertieshigh breakdown devicesmadeofSiliconcarbide power,hightemperature，highvoltage．The couldbeusedinextreme and condition．The ofsilicon growthprocessproperties carbideweredisscussedinthis thedefectswhichaffectthe of paper,especially quality SiC WasconsideredtobethemostseriousdefectwhichWasthemost bulk．Micropipe inthisresearch． importance Raman to inSiC spectroscopyappliedidentifypolytype crystalgrownby single theseededsublimationandthe curvesofseveral measured techniquerocking spe