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稀土碱金属复合化物中tb
中文摘要
摘要:真空紫外(VUV)稀土荧光材料由于其在无汞荧光灯及等离子平板显
示器中的应用,已成为近几年来发光材料研究的重点。而要在高能真空紫外激发
下获得高效率的发光则是研究VUV荧光材料的主要目标。研究人员利用寻找在真
空紫外区有强吸收的基质材料、稀土离子的强4fl。15d跃迁、稀土离子间的能量传
递以及各种制备方法等研究手段来获取提高ⅥⅣ荧光材料发光效率的有效途径。
虽然目前已取得一些进展,但这方面的研究仍不够系统,因此我们应该重视这些
基础研究工作,同时这方面工作的有效积累也会为研究获取高效可见光发射的量
子剪裁现象打下良好的基础。本论文研究在VUV和UV激发下,稀土离子Tb3+
高能量区基质敏化、4f75d电子跃迁特点以及影响因素,来探寻获取提高vUv荧
光材料发光效率的有效途径。
通过研究,本论文主要获得以下结论:
1.研究了1b3+离子掺杂的稀土碱金属复合氟化物和铝酸盐材料处于真空紫外
区的基质吸收带的激发特性以及,rb”在不同基质中4f75d跃迁带的激发特性。Tb”
在稀土复合氟化物体系基质中的4f75d跃迁吸收带位于l70.220nm的范围内,而在
察了不同基质中Tb”的4f75d组态最低能级的位置。
2.氟化物的禁带较宽,稀土离子的厂叫跃迁在氟化物基质中位于能级较高的
位置,避免了与.厂■厂跃迁相重叠,是研究稀土离子的光谱性质的合适基质材料。
在Tb”离子掺杂的氟化物体系中,指认了激发光谱中基质吸收带位于130.160nm
范围内,且强度较弱;而SrAll2019:Tb”材料在真空紫外区有较强的基质吸收,并
指认了其激发光谱中基质吸收带位于约140.170nm的宽带范围内。Tb”在氧化物基
质中的4f8.4f75d跃迁吸收带与氟化物基质相比位于较低能级区域,并且氟化物作
为基质材料能提供较多的稀土离子4fl一5d组态的信息。
关键词:稀土:真空紫外;Tb”;4f75d
AB
STRACT
The ofVUV becomesmoreextensive astheVUV
study phosphors recently
are usedfor andthePlasma
increasinglymercury-freelamps displayplate
phosphors
the
orderto luminescentofthe under
high
(PDP).In improve efficiencyphosphors
vacuumultraviolet ofthehost
energy radiation(VUV)excitation,theproperties
1
4r
bandandthe of 5dstatesandthe transferinthe
absorption absorption energy
havebeenstudied.Theaimofthis is inresearchofthe
systems papermainly
characteristicsandtheluminescentmechanismsoftheelectronic
spectroscopic
4fs states
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