钙钛矿锰氧化物异质结的制备及磁电性能研究.pdfVIP

摘璎 摘要 碱土金属f如Sr,Ca)掺杂的钙钛矿锰氧化物属于典型的强关联电子体系。其 中， 由于电荷，自旋，轨道自由度之间强烈的耦合作用，表现出庞磁电阻效应 (CMR)、金属．绝缘体相变、电磁相分离等丰富的物理现象。目前，已成为自旋 电子学的热点研究材料。同时注意到一定Sr掺杂的镧锰氧化物(LaxSr卜、Mn03) 是P型半导体，如果能将这种庞磁阻材料和n型半导体材料一起构成异质结，会 对基础科学的探索以及新型器件的开发都有着非常重要的意义。 本文采用磁控溅射的方法制各了Lao．8Sro．2Mn03基异质结，主要的研究内容 有以下几方面： LSMO厚度为100nm的异质结在外加电压为2V时，正向电流和反向电流比值达 到20，说明其具有良好的整流特性。但随着厚度的减小，串联电阻增加，接触 电势差增大，异质结的整流特性变差。 进一步研究了SToN／La0 I—V特性，实验表明：肖特基结具有良好的整流特性，且随着温度的降低，伏安 特性曲线的斜率趋于平缓。这是由于，温度的降低，减小了肖特基结中多数载流 子热发射的能量，降低了正向电流；在整个温度区间内随着温度的降低，理想因 Q 随温度变化的综合效应决定了结电阻随温度的变化关系，且串联电阻从20．9 减小到14．3Q，饱和电流I。随温度的升高而降低，并且在整个温度区间内，lIlI。 与I／T呈线性，说明肖特基结在300K到40K的温度区间内符合热激发机制。由 于LSMO电子能带结构随温度升高，e。能带的带隙减小，导致结的接触电势差 几乎随温度的增加而线性减小。 别为200nm、140nm、20nm的Lao 8Sro．2Mn03／ZnO组成的P刀结。从试验结果中 可以看出：随着ZnO膜厚的减小，反向饱和电流密度Js增大，串联电阻＆增加。 这与随ZnO膜厚的减小，膜中的应力增大，界面质量变差有关。而且，理想因 子rl随ZnO膜厚的减小而增大的现象也间接支持这种解释。其中，当ZnO层膜 厚为200nm时，异质结的理想因子11为2．09，说明此p川结界面质量较好，同时 I．V曲线也说明出异质结具有良好的整流特性。 通过系统研究ZnO膜厚为200nm的LSMO／ZnOM结在300K-40K温度区 间的I．V特性曲线发现，随测量温度的降低，接触电势差增大，外加电压为2V 北京‘r业人学T。’产硕lj沦文 时的正、反向电流比值减小，整流特性变差。这是由于温度的降，P．n结的耗尽 层厚度变大，导致接触电势差增大。通过拟合饱和电流密度Js与温度T的关系 曲线发现，当温度低于140K时，接触电势差随测量温度的升高而减小，这与 LSMO的e。电子能带结构随温度的变化有关；但温度介于140K到300K时，热 激活模型占主导地位，因而，接触电势差继续随测量温度的升高而进～步减小。 在外磁场为零时，通过结电阻随温度变化关系发现，结电阻随温度降低而增 大，并在100K左右出现一个明显的电阻峰，这是由LSMO的金属．绝缘体相变 造成的；低于100K后，电阻随温度降低单调增大，与p嘶结引入宽带隙半导体 ZnO有关。当外磁场为4T时，双交换作用增强，导致电阻急剧下降，p嘶结表 现出明漫的负庞磁电阻效应(CMR)。 第三利用磁控溅射方法，在Si(100)单晶衬底上制备了Sn02薄膜。研究了 衬底温度、工作气压、氧氩比等工艺参数对Sn02薄膜结构及光学、电学性能影 响，并确定最佳工艺条件为：溅射气压0．5Pa，衬底温度6000C，溅射功率100W。 有获得整流特性。通过分析，可能的原因是：制备的Sn02膜非常接近理想化学 计量比，无法获得明显地n型半导体性质和制备LSMO和Sn02层时的温度太 高，界面出现成分扩散。为避免高温成分扩散的影响，降低衬底温度为3000C， 现为较为典型的隧穿输运行为，这可能与Sn02及LSMO的严重晶格失配导致的 界面处存在较高的缺陷密度是的界面质量较差有关。 关键词钙钛矿锰氧化物：整流特性；磁电阻；异质结；磁控溅射 曼皇曼皇曼曼曼曼曼曼_一I ABSTRACT I曼曼皇曼鼍曼曼!!曼曼!曼!曼曼