MOCVD法生长ZnO晶体薄膜p型掺杂及研究.pdf

浙江大学硅材料国家重点实验室 2005年6月 摘 要 ZnO是一种多用途的半导体材料。传统上，被广泛应用于声表面波器件 (sAw)，体声波器件(BAw)，气敏元件，变阻器，透明电极等。和GaN相比， ZnO的缺陷密度更低，可在低温下合成，且激子束缚能更高(60meV)，阈值电 压较低，理论上有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备出较好性能的探测 器、LED和LD等光电子器件。 然而，由于ZnO薄膜中存在大量锌填隙原子和氧空位(Zni，go)，产生高 度的自补偿作用，加上受主元素(N、P、As等)在ZnO中的溶解度较低且引入 的受主能级均较深(N除外)，P型ZnO薄膜的制备存在较多难点，从而影响了 ZnO薄膜的应用。 近来已有部分研究小组实现了ZnO薄膜的P型掺杂，但通常电阻率较高， 并且P型导电性能不稳定。因此，ZnO薄膜的P型掺杂依然是其研究中的主要课 题。目前用以沉积ZnO薄膜的设备主要有磁控溅射(Mag．Sputt．)、脉冲激光沉 以其特有的优势成为ZnO薄膜外延及掺杂所采用的热门技术。 本论文系统阐述了ZnO薄膜的性能、各种制备技术及应用前景，并概括了 P型掺杂的