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第六章 半导体 概述：半导体的一般特性 1.高纯半导体的电阻率随温度上升而下降（具有负的温度系数，与金属不同）； 2.导电性随外界影响显著变化， 光照或高能粒子辐照，电阻率下降； 有杂质时，导电性取决于杂质类型和浓度； 3.有很强的霍尔效应和温差电效应。 半导体的这些特性具有广泛的用途，但其微观机制是什么？本章将以能带理论为基础，讨论半导体电子论中具有普遍意义的基础内容。 深能级杂质往往可以形成若干个局域能级，其中有的是施主能级，有的是受主能级。 如：锗中掺银、铜或金，可在禁带中形成三个受主能级； 硅中掺铜在禁带中形成三个受主能级； 掺银或金，形成一个受主能级，一个施主能级。 以掺金为例,中性金原子是一价原子。进入硅晶体后，一价的金与周围的硅原子形成共价键，只有一根是完整的。有两种情况： （1）共价键中的电子可以跃迁到导带成为导电电子，这样金原子成为硅中的施主杂质。由于电子原本处于共价键中，所以电离能很大，～0.54eV。 （2）三根缺少电子的键可以接受价带中激发来的电子而成为受主杂质。 由于接受一个、两个或三个电子所需外界能量不同，似乎应形成三个受主能级。但实际上只测到一个，～0.35eV。 深能级杂质对导电性的影响不如浅能级杂质重要，但它们是载流子的复合中