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光载流子扩散时间 耗尽区外产生的光生载流子 p区或n区产生的载流子 向耗尽区扩散 在耗尽区内漂移到电极 存在问题:较长的扩散时间会影响光电二极管的响应时间 解决办法:尽量扩大耗尽层宽度 扩散速度 漂移速度 当检测器受到阶跃光脉冲照射时,响应时间可使用输出脉冲的上升时间tr和下降tf 时间来表示。 在理想情况下tr = tf,但是由于非全耗尽性中载流子扩散速度远小于漂移速度,使得tr≠tf,造成脉冲不对称。 上升时间和下降时间 图6.11 10%~90%上升时间和下降时间 非全耗尽型光电二极管的典型相应时间 光电二极管脉冲响应 1. 为了获得较高的量子效率,耗尽区宽度w必须大于1/as (吸 收系数的倒数),以便可以吸收大部分的光; 2. 同时如果w较大,会让二极管结电容C变小,于是RLC常数 变小,从而得到较快的响应; 3. 但是过大的w会导致渡越时间的增大 折衷取值范围:1/as w 2/as 不同参数条件下,光电二极管的脉冲响应 带宽 设RT是负载电阻和放大器输出电阻的组合,CT是光电二极管结电容和放大器输入电容之和,则检测器可以近似为一个RC低通滤波器,其带宽为: 例:如果光电二极管的电容为3 PF,放大器电容为4 PF,负载电阻为1 K欧姆,放大器输入电阻为1欧姆,则CT = 7 PF,RT =1 K欧姆,所以电路带宽: 如果将负载电阻降为50欧姆,电路带宽增加为455 MHz。 4. APD的倍增因子 APD的电流增益,即平均倍增因子M可表示为: 式中:Ip为APD倍增后的光生电流;Ip0是未倍增时的原始光生电流。若无倍增时和倍增时的总电流分别为I1和I2,则应扣除当时的暗电流Id1和Id2后才能求出M。 5. 光电检测器的噪声 输出端光信噪比: S/N = 光电流信号/(光检测器噪声功率+放大器噪声功率) 为了得到较高的信噪比: 1. 光检测器具有较高的量子效率,以产生较大的信号功率 2. 使光检测器和放大器噪声尽可能的低 噪声来源 信号功率为P(t)的调制光信号落在检测器上,则产生的初级光电流为: 对于pin,均方信号电流为: 对于APD,均方信号电流为: 信号部分:光生电流信号 对于一个调制指数为m的正弦输入信号,信号成分为: 光电检测器的噪声包括量子噪声、光电二极管材料引起的暗电流噪声和由倍增过程产生的倍增噪声。 量子噪声是光电子产生和收集过程具有的统计特性。对于接收带宽为B的接收机,量子噪声均方根电流和光电流Ip的平均值成正比。其中F(M) ? Mx是噪声系数,它与雪崩过程的随机特性有关。 光检测器暗电流是指没有光入射时流过检测器的偏置电路的电流,它是体暗电流和表面暗电流之和: 表面暗电流:表面缺陷、清洁程度等引起的漏电流。 体暗电流:pn结区热产生的电子和(或)空穴。 * * 第六章 光检测器 6.1 光电检测器 6.2 光电检测器的特性指标 光检测器 偏压控制 前置放大器 AGC电路 均衡器 判决器 时钟提取 再生码流 主放大器 光信号 数字光接收机 前端 线性通道 时钟提取 数据再生 光电检测器能检测出入射在其上面的光功率,并完成光/电信号的转换。对光检测器的基本要求是: ① 在系统的工作波长上具有足够高的响应度,即对一定的入射光功率,能够输出尽可能大的光电流; ② 具有足够快的响应速度,能够适用于高速或宽带系统; ③ 具有尽可能低的噪声,以降低器件本身对信号的影响; ④ 具有良好的线性关系,以保证信号转换过程中的不失真; ⑤ 具有较小的体积、较长的工作寿命等。 目前常用的半导体光电检测器有两种,PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管。 6.1 光电检测器 在线教务辅导网: 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址: PN结 耗尽层 内建电场 VCC 当PN结两端加上反向偏置电压时,耗尽区加宽,势垒加强。 光电二极管的工作原理 当光照射到光电二极管的光敏面上时,能量大于或等于带隙能量Eg的光子将激励价带上的电子吸收光子的能量而跃迁到导带上,可以产生自由电子-空穴对(称为光生载流子)。电子-空穴对在反向偏置的外电场作用下立即分开并在结区中向两端流动,从而在外电路中形成电流(光电流)。 6.1.1 PIN光电二极管 由于受激吸收仅仅发生在PN结附近,远离PN结的地方没有电场存在,因此就决定了PN光电二极管(PN Photodiode,PNPD)或PN光电检测器的光电变换效率非常低下及响应速度很慢。 1. PIN光电二极管的结构
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