超高速薄层iningaas雪崩光电二极管器件的研究.pdfVIP

摘要 究 摘 要 本论文主要研究了光通信用InP基雪崩光电二极管(APD)，主要的内容包括： A．搭建了蒙特卡罗计算机数值模拟平台。应用C++编程语言在Win32平台上开 发出针对InP材料的半导体模拟程序。该程序可以对InP的材料特性如稳态 漂移速度，瞬态输运特性和碰撞电离等现象进行模拟，同时该程序还能对InP p+-i—n+APD器件进行模拟，计算增益，过剩噪声系数和电流响应等参数。 B．利用蒙特卡罗计算机数值模拟平台对InP P+-i—n+APD结构的特性进行模拟研 究。通过对InPp+-i-n+APD雪崩倍增过程的蒙特卡罗研究，我们证实了薄层 器件对过剩噪声的抑制作用。在超薄层器件中，随着弛豫空间(Dead Space) 等非局域效应的增强，雪崩倍增过程的过剩噪声将会下降。本论文利用了碰 撞电离事件概率分布的观点去研究薄层器件的噪声特性，我们发现随着电场 的变强和弛豫空间变得显著，整个雪崩倍增过程变得更有确定性，从而噪声 下降了。同时，本论文还对APD器件的电流响应速度就行研究。模拟发现随 着电场的加强，载流子的速度过冲现象变得更强并明显缩短了碰撞电离事件 之间时间，从而导致薄层器件具有更快的响应速度。 C．利用载流子在器件中的分布对时间的响应开发出一种新的APD小信号等效电 路模型。该等效电路模型考虑了APD中载流子渡越时问，雪崩建立时问和器 件寄生RC参数。该模型的频率响应计算结果能很好地与实验数据符合。作为 一种特殊情况，该模型还能应用于pin光电二极管。最后，本论文还分别研 究了光信号的入射方向对pin光电二极管与APD响应速度的影响。 关键词：雪崩光电二极管(APD)等效电路碰撞电离蒙特卡罗模拟 ABSTRACT on Thin ResearchUltra·fastInP／InGaAs Photodiodes Avalanche Abstract Inthis basedavalanche usedin communicationare fiber-optic paper,InP photodiodes main includesthe three studied．Thecontent followingparts： aMonteCarlonumericalsimulationwith A．Developed program carrier onWin32 andtransienttransportproperties language platform．Thesteady Canbe inInPmaterialCanbe InP structure simulated．Also，thep十．i-11十APD simulatedinthis andavalanche noise and program