纳米siol;,2gt;浆料中半导体硅片的化学机械抛光及其应用研究.pdf

摘 要 随着集成电路(IC)的快速发展，对衬底材料硅单晶抛光片表面 质量的要求越来越高，化学机械抛光(CMP)是目前能实现全局平面 化的唯一方法。研究硅片CMP技术中浆料性质、浆料与硅片相互作用、 抛光速率及硅片CMP过程机理具有重要理论指导意义和实际应用价 值。本文运用胶体化学、电化学和量子化学的原理和方法，系统研究 了半导体硅片CMP技术中若干重要问题。 详细研究了水相体系纳米Si02浆料的分散稳定性能，考察了纳米 Si02颗粒在不同pH值介质中的润湿性和稳定性，探讨了不同分散方法 及加入不同种类表面活性剂对纳米Si02颗粒吸光度、表面Zeta电位和 吸附量等的影响，并通过颗粒间相互作用能的计算，分析讨论了纳米 Si02浆料在不同条件下的分散行为和作用机理。研究得出，纳米Si02 颗粒的等电点(pH。EP)约为2，在酸性介质中有较好的润湿性，在碱 性介质中有较好的稳定性，其分散行为与其表面Zeta电位有很好的一 致关系，随pH升高，由于增加颗粒表面Zeta电位，产生静电排斥作 用使稳定性提高；机械搅拌和超声波均可有效促进纳米Si02浆料的分 散，但保持浆料持久稳定需加入表面活性剂作为分散剂；不I司种类表 面活性剂的分散机理不I—J，非离子型TritonX．100主要通