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DC二极溅镀系统之简单平行板 抽出 e- e- e- DC二极溅镀机 基板 1)电场形成Ar 离子 2)高能Ar 离子撞击金属靶 3)金属原子从 靶材移出 阳极 阴极 氩原子 电场 金属靶 电浆 5)基板上沉积金属 6)过多的物质藉由真空帮浦从反应室中移出 4)金属原子往基板移动 气体传送 + + + + + 图 12.16 从溅镀靶材表面移出金属原子 + 0 高能?Ar 离子 被溅击出之金属原子 金属原子 阴极 (－) 反弹之氩离子和自由电子结合以形成中性原子 图 12.17 溅镀产额和下列条件有关系 1.轰击离子的入射角。 靶材的组成及几何形状 轰击离子的质量。 轰击离子的能量。 落于基板上之不同物质 阳极(+) 阴极(－) 电场 金属靶 源自辉光电浆之光子 溅击出之原子 基板 高能电子 中性原子 ＋离子包含杂质 源自靶轰击之X射线 －离子 – e- 图 12.18 3种溅镀系统形式 RF(射频) 磁控 IMP(离子化金属电浆) RF溅镀系统 氩气 气体流量控制器 涡轮帮浦 RF产生器 匹配之网络 微控制器 操作接口 抽出 平盘 电极 靶材 基板 电容 粗抽帮浦 压力控制器 气体盘 图 12.19 磁控溅镀 DC功率供应 热晶圆平盘 磁铁 氩气进入 真空帮浦 靶材 阴极 图 12.20 准