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金属半导体结 4.1肖特基势垒 4.2表面态对势垒高度的影响 4.3镜像力对势垒高度的影响 4.4肖特基势垒二极管 4.1 肖特基势垒 金属和半导体接触： 金属和半导体接触形成的结称为金属—半导体结 整流效应：高阻、单向导电——整流结 欧姆效应：低阻、欧姆特性——欧姆结 金属与N型半导体 金属与P型半导体 WmWS 整流效应 欧姆效应 WmWS 欧姆效应 整流效应 E0表示真空中静止电子的能量 金属功函数：Wm Wm=E0 －（EF）m 一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空所需要 的最小能量。功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱。 半导体功函数：WS=E0－（EF）S 4.1.3 加偏压的肖特基势垒 金属与n型半导体 WmWs 金属与P型WmWs 金属与p型接触（WmWs） 4.2 表面态对势垒高度的影响 表面态的位置： 表面态位于禁带中，大多数半导体的表面能级位于离开价带顶Eg/3附近出。 4.4 肖特基势垒二极管 利用金属和半导体整流接触特性