《Cu粉和Sn粉相界面扩散溶解层的研究 Studies on Diffusion Dissolve Layer of Cu and Sn Powder Phase Interface》.pdfVIP

第36卷 增刊3 稀有金属材料与工程 Ⅶl3t suppJ3 2007年 9月 SeⅢ日ub盯2伽7 RAREMETALMATERLALSANDENGTNEERlNG Cu粉和Sn粉相界面扩散溶解层的研究 宋玉强，李世春 (中国石油太学(华东)机电学院材料系，山东东营257061) 摘要：采用粉末烧结的方法制备出了c“sn扩散溶解层：利用光学和电子显微镜观察了该扩散溶解层的形貌，用x 射线衍射和能谱技术分析了该扩教溶解层的相组成；依据TFDc电子理论对c删Ⅱ扩散溶解层的结构进行丁讨论。研 究发现，cu糨和sⅡ粉在200℃，lo h的烧结过程中，sn原子不断扩散进入到cu晶体中，在cu粉和sn粉颗粒界面 处·先后依次形成一定厚度的cus啦，c“sIs“n，c”，，s“ll和cu掰ns“8s09金属间化合物扩散溶解层．该扩散溶解屋的 结构为cu相、界面cu，c“研％sn目。B、c”32’92snn 关键词：cu-sⅡ；烧结i界面：扩散；金属间化合物；TFDc电子理论 中国法分类号：TGl46 文献标识码{A 文章编号；1002．1 L7一05 85x(2007)S3—2 铜合金由于具有高的电导率而广泛用于导体材 1 实验材料与方法 料。钎焊过程中，在铜基合金导体和锡基合金钎料之 间的界面处会产生二元cu-sn金属间化合物；在通常 实验用粒度为50～60邺A，纯度均为995％左右 的加电压使用条件下，由于热作用，二元cu，sn金属 间化台物会逐渐生长。cu．sn化合物非常脆，而且具一次冷压-．二次温压一冷却斗200℃烧结10h一冷却 有高的电阻系数，因此，这种化合物的生长，极大地 mm×4 一烧结体。样品尺寸为中16 mm。在wE一30B 损坏了钎焊连接接头的电学和力学性能。李世春咀研 液压式万能实验机上用自制模具压制，在sx210一12 究zn．Al共晶合金超塑性机理为背景，提出了“扩散箱式电阻炉中烧结。烧结温度依据相图手册【6】选定。 溶解层”的概念．建立了相界的扩散溶解层模型11，2】。 程开甲院士在主要考虑了量子力学测不准关系和泡里 子显微镜进行表面微观形貌观察和分析，用x射线衍 不相容原理以后，得到了改进的TFD模型，简称TF射法和能谱技术分析试样的相组成。 Dc模型(TFDc电子理论)口】，李世春利用TFDc电 2实验结果和分析 子理论建立了TFDc相图【4】。T．Takenaka”1针对Sn， 2．1 cll，sⅡ扩散偶研究了Cu，sn界面扩散层的形成和生长 cu，sn扩散溶解层的形貌 行为，给出了扩散层厚度随退火时间和温度变化的表 cu和sn2种粉末经过混料，2种粉末颗粒基本上 达式，但对于cu—sn金属间化合物的形成规律没有研呈弥散分布，并呈球形接触；混合粉末经过压制，颗 究。目前，还没有见到利用TFDc电子理论研究cu 粒发生变形，大多数颗粒的形状变为“平板状”，此时， 和sn扩散溶解层的报道。本文利用粉末烧结的方法， 2种粉末颗粒接触界面增加，出现大量的c“sn界面。 制备出c“sn扩散溶解层，利用光学和电子显微镜观 “平板状”粉末颗粒压坯再经过烧结，压坯中的孔洞 察扩散溶