《TiO2颗粒在羟基表面的沉积行为及图案化 Deposition Behavior and Patterning of TiO2 Particles on Hydroxyl Surfaces》.pdfVIP

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《TiO2颗粒在羟基表面的沉积行为及图案化 Deposition Behavior and Patterning of TiO2 Particles on Hydroxyl Surfaces》.pdf

第27卷第1期 无 机 化 学 学 报V01.27No.1 2011年1月 CHINESE JOURNALOFINORGANICCHEMISTRY 135.140 Ti02颗粒在羟基表面的沉积行为及图案化 梁 山★,1 孙冬兰1 薛群基2 (1天津科技大学理学院,天津300457) (2中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,兰州730000) 摘要:比较了3种具有羟基表面Si02层的差异:紫外光照SAMs形成的羟基表面,紫外光照射前、照射后的羟基表面:用光照前 后表面的差异,结合化学浴沉积技术在单晶硅基底上制得了TiO:微图案薄膜。系统考察了光源、硅片表面性质的变化、溶液等 方面对图案生成的影响。实验表明Ti02沉积在未照区,电子和空穴动力学上的差异造成光照区表面正电荷增多,抑制了Ti02的 沉积。该方法不需要光刻胶和自组装膜作为辅助模板,具有简单廉价的特点。 关键词:图案化;光照;电子;空穴;迁移率 中图分类号:0614.41+1;0649.4文献标识码:A 文章编号:1001-4861(201I)01.0135.06 Behaviorand of Particleson Ti02 Surfaces Deposition Patterning Hydroxyl LIANG Shan。”SUN Dong—Lan‘XUEQun-Ji2 and (1CollegeofScience,TianjinUniversityofScience 300457,C矗伽曲 Technology,Tianjin Abstract:Threekindsof surfacesonSi02 are surfacesareformed hydroxyl layer compared.Thehydroxyl by theSAMsOrthebareSiunderUV thebareSisurfacesin solution exposing light,andtreating onlypiranha but notunderUV thinfilmswerefabricatedontheSisubstrateswiththemethodsofUV lisht.PatternedTi02 irradiationandchemicalbath reasonsfor formationwerediscussedin viewofthe deposition.Thepatterns the UV ofSiwaferandthe solution.Itwasfoundthat ontothe Ti02 light,modifications aqueous particlesdeposited unirradiated oftheelectronsandholescausetheholesto regions.Differe

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