《2.5～10GbsHEMTIC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究》.pdfVIP

第 卷第 期 功能材料与器件学报 6 3 VO1. 6, NO. 3 年 月 2000 9 J0URNAL 0F FUNCTI0NAL MATERIALS AN EVICES Sept., 2000 文章编号: l007 -4252 2000 03 -0l45 -05( ) 2.5 ~ l0Gb/ S HEMT IC 全耗尽型光驱动电路中 器件性能的研究 高建军 袁志鹏 吴德馨, , (中科院微电子中心 北京, l00029) 摘要 主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电路: HEMT IC 设计开展研究。 着重讨论了PHEMT 器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响，给 出了满足电路性能要求的器件参数范围；对2. 5 ~ l0Gb/ S PHEMT IC 光驱动电 路进行了计算机仿真，眼图模拟结果表明满足2. 5 ~ l0Gb/ S 高速光纤通信系统 需要。 关键词：高速光集成电路; 光发射机 驱动电路; ; HEMT 器件 中图分类号:TN43 文献标识码: A l 引言 目前超高速大容量光纤通信系统速率 商用水平已经达到, l0Gb/ S，而实验室水平达到 [ ] 了 l ， 成为扩展通信容量的主要途径之一。为了避免波长啁啾和严重的光 40 Gb/ S GaAS IC 纤色散， 以上高速光纤通信系统通常采用外调制驱动电路。外调制驱动电路必 2. 5 ~ l0Gb/ S 须满足以下两个条件：高速工作 提供足够的输出驱动电压以满足电吸收式（ ）和 ; EA Mac1 - （ ） Ze1Dcer 调制器的需要 3VP - P ，保证系统获得足够高的消光比。 与传统的MESFET 相比，高电子迁移率晶体管HEMT 具有截止频率高、跨导大、噪声低 等特点，而且与 、 相比， 的低电压供电工作可以获得低功耗的集成电路，目前 BJT HBT HEMT 已广泛应用于高速光纤通信系统中的外调制驱动电路中[2, 3] 。 本工作针对 调制器驱动电路中器件性能开展研究，内容包括： 调 PHEMT 2. 5 ~ l0Gb/ S 制器驱动电路对PHEMT 器件阈值特性的要求、对PHEMT 器件特征频率特性的要求及其设 计和眼图模拟分析。 2 2. 5 ~ l0Gb/ S 调制器驱动电路中PHEMT 器件特性分析 （ ） 外调制驱动电路主要由SCFL 源直接耦合FET 逻辑 或者ECL 电路完成，主要由以下 几部分构成： 输入接口电路 由缓冲电路实现 预驱动级 由两级差分放大电路组成，) ) l - 2 - 收稿日期:2000 -07 -08; 修订日期: 2000 -09 -09 作者简介 高建军: (l968 - ,) 男 博士 主要研究方向为微波电路和高速光纤通信系统的计算机辅助设计, , . 146 功能材料与器件学报