《14～14.5 GHz 20 W GaAs PHEMT内匹配微波功率管》.pdfVIP

第39卷第5期 微电子学 V01．39．No．5 2009年10月 Mfcroelectronics Oct．2009 14～1 GHz20WGaAs 4．5 PHEMT内匹配 微波功率管 赵博，唐世军，王帅 (南京电子器件研究所，南京210016) 摘 要： PHEMT0．25 T 介绍了一种Ku波段内匹配微波功率场效应晶体管。采用GaAs pm 型栅工艺，研制出总栅宽为14．4 GHz mm的功率PHEMT管芯。器件由四管芯合成，在14～14．5 频率范围内，输出功率大于20W，附加效率大于27％，功率增益大于6dB，增益平坦度为土 0．3dB。 关键词： 砷化镓；赝配高电子迁移率晶体管；微波功率场效率晶体管 中图分类号：TN386 文献标识码：A 14—1 Gltz20WGaAsPHEMT Matched 4．5 Internally MicrowavePowerFET ZHAOBo，TANG Shuai Shijun。WANG Electronic (Na巧ing De讲ce 210016，P．R．China) Institute，Nanjiing Abstract：An matchedmicrowaveF￡rwas 0．25 GaAsPHEMT internally power T-gate presented．Usingtan PHEMTwithatotal widthof14．4nTrnwas was offourdies． process，powerchip gate fabricated，which comprised From14GHztO14．5GHz，thedevicehadan over20 added above a outputpower W，an 27％，andpow— efficiency er over6dB，andits flatnessacrossthebandwaswithin土0．3 gain gain dB． Keywords：GaAs；PHEMT；MicrowaveFET power EEAoC：2560S GHz20W