ZnO和AlN薄膜MOCVD生长及其性质.pdf

摘 要 摘 要 ZnO 是一种 II-VI 族宽禁带半导体化合物，在室温下拥有 3.3eV 的禁带宽度 和 60meV 的激子束缚能，这使其在光电器件领域的应用前景十分看好。ZnO 在 某些方面具有比 GaN 更优越的性能，如：更高的禁带宽度和激子束缚能有利于 提高器件的发光强度、组分丰度高、原料成本低等， 这些因素使得 ZnO 在光电 领域的应用，已成为 GaN 有力的竞争对手。ZnO 成为现阶段光电材料研究领域 的新热点。在今后的发展中，ZnO 基光电器件很可能将取代或部分取代 GaN 光 电器件。但目前ZnO 基光电器件的研究缺遇到了瓶颈，在 ZnO 的生长中杂质和 缺陷的控制始终未能取得突破。因此需要对 ZnO 晶体的生长以及杂质和缺陷等 对于材料的性质的影响进行深入的研究。AlN 材料因具有表面声学波传播速率 高、禁带宽度宽、绝缘和导热性能好、性质稳定等优点，在表面声学波、短波长 发光、SOI 器件以及陶瓷材料等领域有着广泛的应用，也受到了广泛的关注 本文围绕上述观点，使用 MOCVD 方法对 ZnO 薄膜的生长以及本征缺陷对 于薄膜的发光性能的影响进行了一系列的研究。主要工作有： 采用水汽作氧源，二乙基锌作锌源，研究了外延条件对 ZnO 薄膜生长的影 响。发现更高的 DEZn 流量有利于增强 ZnO 薄膜的紫外发光强度，但会使薄膜 的生长呈双择优取向模式。在此前提下，保持较高的锌氧源摩尔比，优化了其它 生长条件，成功制备了具有单一 c 轴择优取向且能产生较强紫外发光的 ZnO 薄 膜。在此基础上对 ZnO 薄膜的性质展开了进一步研究。分析了锌氧源流量比、 基片温度、热处理条件对于 ZnO 薄膜性质的影响。得出的主要结论为：ZnO 中 的紫外发光主要来自于自由激子和Zni 施主的复合发射，两者浓度的提高都有利 于增强 ZnO 的紫外发光。采用RF 裂解载气 N2 产生等离子体 N 源，在 MOCVD 设备上生长了 a 轴择优取向的 AlN 薄膜。改变载气流量、生长温度、裂解功率 生长了多个系列样品。对样品的分析结果表明，各种生长条件的变化对于制得的 薄膜特性有不同的影响。在以上的工作基础上，进行了 ZnO/AlN/Si 结构的生长 和特性研究。 I 摘 要 本文共分 6 章： 第一章，主要介绍了 ZnO 、AlN 材料的基本性质，应用前景和研究现状。对 主要的薄膜制备和表征手段进行了概述。提出了本文的工作要点。 第二章，研究了采用不同进气模式下生长的 ZnO 薄膜的结晶和发光性质。 分析了锌源浓度的提高对 ZnO 薄膜的生长和发光的影响。 第三章，研究了生长条件对薄膜性质的影响并对生长条件进行了一系列优 化，最终在高锌源浓度气氛中制备了具有较强的紫外发光强度和单一 c 轴择优取 向的ZnO 薄膜。 第四章，通过改变锌氧源流量比、生长温度、热处理温度，进一步研究了 ZnO 薄膜本征缺陷与其发光性质尤其是紫外发光性质的联系。结果证明了：ZnO 的紫外发光是自由激子与Zn 缺陷共同作用的结果。 i 第五章，利用 RF 辅助 MOCVD 方法制备了 a