模拟电子 作者 郭赟第八章 第八章7~8学时.pptVIP

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  • 2015-12-09 发布于广东
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模拟电子 作者 郭赟第八章 第八章7~8学时.ppt

* 在线教务辅导网: 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址: 第八章 晶闸管电路 课前提问 单相半控桥式可控整流电路和单相半波可控整流电路的移相范围各是多少?各有什么优点? 第三节 单结晶体管电路 (7~8节) 一、单结晶体管 二、单结晶体管振荡电路 一、单结晶体管 1.单结晶体管的结构、符号 E B2 B1 a) b) 图8-22 a)结构 b)符号 内部有一个PN结——单结晶体管 三个电极——发射极和两个基极——双基极二极管 图8-24a 单结晶体管的外形 图8-24b 单结晶体管的等效电路 E B2 RB2 RB1 VD B1 A η----称为分压比,其值一般在0.3---0.9之间。 2.单结晶体管的伏安特性 图8-24 单结晶体管的伏安特性 (1)当UE<UA时, PN结反向截止,单结晶体管也截止。对应曲线中P点以前的区域称为截止区。 (2)当UE>UA 时,PN结正向偏置,当UE=η UBB+UD时,PN结导通,IE显著增加,RB1阻值迅速减小,UE相应下降。电压随电流增加反而下降的特性,称为“负阻特性”。 管子由截止区进入负阻区的临界点P,称为

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