4h-sic esfets微波功率器件新结构与实验研究.pdfVIP

摘要 摘要 碳化硅(SIC)是第三代半导体材料的典型代表，也是哥前晶体生长技术和器 件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一。与传统半导体材料si 和GaAs相比，SiC材料具有大禁带宽度、高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度以 及高热导率等优良物理特性，是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理 想的半导体材料。在微波大功率器件领域，具有高功率密度和嵩温可靠性的4H-SiC MESFE鼹器件是极其潜力的竞争者，在固态微波通讯系统和相控降雷达等领域具 有广阔的应用前景。然而SiCMESFETs器件存在的自热效应和陷阱效应严重影响器 件工作稳定性，降低了器件输出功率密度，制约其进一步发展。 本文对艇1．SiC MESFETs器件的功率特性和频率特性等进行研究，提斑源场板 SiCMESFETs器件新结构；在深入分析影响器件工作稳定性的融热效应基础上，建 MESFETs 立了大栅宽SiCMESFETs器件三维电热解析模型；并进行多凹栅结构SiC 器件的实验研究。主要工作包括： f1)提出源场板4H．SiCMESFETs器件新结构。该结构通过将场板与源极蛊接 相连，不仅削弱器件栅漏侧栅极边缘的电场强度，优化了栅漏侧的表面电场，提 高器件击穿电压；而且场板与源极相连，使得场板与沟道电容转变为漏源反馈电 容，并在输出调谐回路中被电感抵消掉，从蔼降低栅漏反馈电容，改善器{牛功率 增益，克服了栅场叛结构引入额外栅漏反馈电容降低器件功率增益的缺点。数值 分析结果表明，本文提出的源场板4H．SiCMESFETs器件新结构比常规结构SiC MESFETs器件击穿电压提高66％，最大理论输出功率密度提高73％，功率增益增 加2．2dB。同时，本文新结构与常规结构SiCMESFETs工艺相兼容，这为提高SiC 微波器件输出功率提供了一种新选择。 (2)提出大栅宽4I-I．SiCMESFETs三维电热解析模型。在研究大栅宽SiC MESFETs电热特性的基础上，针对目前严重影响SiC微波器件性能稳定性的自热效 应，建立了一个精确且简化的大掇宽SiCMESFETs器件电热解析模型。该模型从固 体三维线性热传导方程如发，通过求解器件稳态情况下的拉普拉斯方程，获得器 件表面温度分布的解析模型。通过与大信号三区解析模型的联立耦合求解，计算 出器件表面备栅指的温度分布。该电热解析模型给避了器件表面峰值温度分布与 结构参数(如栅指阅距、衬底厚度)和偏置关系(如漏极电压、栅极电压)的解 摘要 析表达式。模拟分析结果表明，本文建立的三维电热解析模型计算的器件表面备 橱指峰值温度分布与二维数值仿真结果基本一致。该电热解析模型有助予器件设 计者进行热设计，从而抑制大栅宽器件自热效应的影响，提高器件工作稳定性。 MESFETs多凹栅器件结构实验研究。基于目前国内SiCI艺 (3)大栅宽4H．SiC 加工平台，设计制作了多圜栅结构SiCMESFETs器件。该器件透过多凹稽结构削弱 栅下峰值电场强度，增加了器件概漏击穿电压。在仿真分析基础上，合理设计了 多凹槽刻蚀工艺流程和5mm栅宽SiCMESFETs器件版图，成功进行了工艺实验。 率50％，输出脉冲顼降小予0．5rib的多凹瓣结构SiCMESFETs器件。阕时，对影响 器件性能的几个关键工艺步骤(源漏电极的欧姆接触电阻、栅凹槽刻蚀和空气桥) 进行了工艺研究。通过矩形传输线测试方法，获得源漏电极的比接触电阻率为 1．05xlo-6 Q．CITl2。实验测量多凹栅结构SiCMESFETs器件栅漏击穿电压大予100V， 祗相同工艺下常规结构器件褫漏击穿电压只有50V。 同时，本文对影响SiCMESFETs器件性能稳定性的表面陷阱效应和几何尺寸 效应进行了研究，详细分析和讨论了表面态能级和陷阱密度对器件Ⅳ特性、转移 特性、跨导和瞬态响应等特性的影响以及栅源、栅漏间距对器件直流和微波性麓 的影响。模拟分析结果表明，表面态降低了漏电流，使阈值电压发生漂移，引起 负跨导频率色散等，严重影响器件性能稳定性，降低了器件输出功率和附加效率。 而栅源间距相对于栅漏间距对SiCMESFE聪器件性能具