4h-sic jt功率器件新结构与特性研究.pdfVIP

摘要 摘要 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生长技术和器 件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，是高温、高频、抗辐 照、大功率应用场合下理想的半导体材料。在功率半导体器件领域，具有高功率 和高温可靠性的4H．SiC BJT器件是极具潜力的竞争者，可以广泛应用于军事及民 用设备的功率电子系统领域。然而SiCBJT器件低共发射极电流增益增加了器件的 功耗，低击穿电压制约了器件的应用范围，表面陷阱效应退化器件的性能影响了 工作稳定性，制约了其进一步的发展。 本文对4H．SiCBJT的器件性能进行研究，提出基区场增强埋层结构以提高器 BJT 件的电流增益以及外延型结终端结构以提高器件的击穿电压；建立了4H．SiC 界面态分布模型以研究陷阱效应；并进行了4H．SiCBJT器件电热特性的研究。同 时本文也对4H．SiCSBD阶梯场板的终端结构和硅基高热稳定性双极BJT-BSIT组 合器件进行了实验研究。主要创新工作包括： 第一，提出4H．SiCBJT器件基区埋层新结构。该结构通过基区增加浮空N埋 层引入新的pn结，从而在基区内部产生增强的内建电场。在内建电场的作用下， 基区对少数载流子的输运能力得到明显增强，基区复合电流减小，集电极电流提 高，基区输运系数提高，从而电流增益明显提高。同时，N埋层还可以辅助调制 表面电场，提高器件的击穿电压。数值分析结果表明，通过优化设计埋层的结构， 新结构的最大电流增益相比普通结构提高了108％，而且具有较高的击穿电压和较 好的工艺兼容性。 第二，提出4H—SiCBJT界面态分布模型。在禁带中采用指数函数的界面态分 布模型对4H—SiCBJT的表面陷阱进行二维数值仿真分析，仿真结果与实验数据能 够很好的吻合。对表面陷阱效应物理机理的研究表明，外部基区表面费米能级的 钉扎导致了表面能带的向下弯曲形成了电子的势阱，从而大量电子在表面被俘获 形成了表面电子复合电流沟道。基区的表面复合电流是基极电流的重要组成部分， 也是引起电流增益退化的重要原因。同时，陷阱效应使器件表面电荷散射增强， 降低了器件的迁移率，导通电阻明显提高。 第三，具有表面电荷调制效应的两类新型终端结构。 1)提出4H．SiC BJT器件外延型结终端新结构。该结构将常规的离子注入型 摘要 JTE(JunctionTerminationExtension)结构用外延的方式来实现，消除了注入结产 Field Limiting 生的曲率效应。同时在外延JTE终端的不同位置注入FFLRs(Floating Rings)，平衡了主结边缘和JTE末端所需的杂质剂量不同的矛盾，使器件表面电 BJT。新结构与优化后的常规FFLRs 场分布均匀，实现了击穿电压达到1570V的SiC 和JTE终端结构相比，击穿电压分别提高了39％和20％。此外，该结构不仅与常 BJT 规SiCBJT工艺相兼容而且可以省去常规工艺中结终端的制作，简化了4H·SiC 的工艺步骤，降低了制作成本。 SBD器件阶梯场板新结构。基于国内目前SiC工艺加工平台， 2)提出4H．SiC 在常规SiCSBD场板实验和关键工艺的基础上，设计了阶梯型场板、阶梯型场板 SBD场板结构。三种结构通 组合JTE以及槽型阶梯场板组合JTE的三种新型SiC 过刻蚀形成主结与场板末端不同的氧化层厚度，后两种结构增加了JTE结构辅助 调制表面电荷，使表面峰值电场分布均匀。数值仿真优化后的三种新结构相比实 验获得的最高1300V击穿电压