p-k：zno膜的制备及其电子结构第一性原理研究.pdfVIP

摘要 摘 要 氧化锌(ZnO)材料由于存在本征点缺陷(氧空位％和锌填隙Znf)的施主补 偿作用，导致P型ZnO的制备很困难，限制了其在光电领域的开发和应用。 第1或V族元素都可以作为zIlO的p型掺杂剂，本文针对第认族的K元素为掺杂 剂，利用射频磁控溅射技术，以氩气和氧气为生长气氛，在单晶硅或蓝宝石上淀 积p-ZnO薄膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、X射线光电谱仪、霍尔测试等 晶体和电学性能表征技术，在摸索最佳制备工艺的基础上，研究了衬底温度不、 氧分压昂以及衬底材料的结构对薄膜的结构性能和电学性能的影响。结果表明， D．．cm、8．92x101‘7cm-3和 p-K：ZnO薄膜的电阻率、空穴浓度和迁移率分别为1．8 配比，O含量偏高。 为进一步研究K：ZnO P型导电的机理，基于密度泛函理论框架，利用局域密 度近似的第一性原理平面波赝势方法，对含有氢填隙(鼠)、氧空位(％)、锌 独掺K可引入浅受主，但系统总能增高；(2)K与H共掺可降低系统总能，提升稳 定性；(3)％和历f都是负电中心，在导带底．1eV附近引入浅施主能级，起补偿 受主作用；(4)％在价带顶0．5eV左右形成浅受主，有利于晶体P型导电。文中最 后提出了P．K：ZnO的导电机制可能是由于形成了杨．O-Hi-O．Vz．结构所致。 关键词：氧化锌薄膜P型射频磁控溅射钾第一性原理 Abstract M Abstract DuetOitsintrinsicdonor zincinterstitial pointdefects(oxygenvacancy(Vo)or all obstacletoobtain (Znl)，forinstance)，zincoxide(ZnO)has material，which Ptype restrictsitswide inshort-wave fields． applications optoelectronic EitherI-or elementsCanbe ofZnO．Inthis of V-group Ptype dopants paper．one hasbeenchosento thinfilms I-groupelements-potassium(IOprepareP—ZnO on siliconor substratesradio depositedsinglecrystal sapphire by frequencymagnetron underrich the of diffraction， sputteringtechnique oxygenatmosphere．WithhelpX—ray and atomforce Hall measurements，the microscopy，X—rayphotoelec