超低能耗亚阈值ram电路设计.pdfVIP

摘要 摘 要 医疗芯片主要应用于可穿戴式、便携式、植入式医疗仪器中，超低能耗是其主要设计挑战。降 低电源电压至MOS管亚阈值区域可以使得电路能耗比常规电路设计能耗节省大约一个数量级，因此 亚阈值设计成为医疗芯片设计的主要趋势之一。需要注意的是，亚阈值设计具备与常规设计完全不 同的电气特性，MOS管驱动电流与晶体管阈值电压的指数级关系使得常规的靠尺寸调节满足设计性 能需求的方式已不再适用。存储体设计成为亚阈值设计的难点之一。同时，随着电源电压的降低， MOS晶体管的开启关断电流比(Io。／Io伊)急剧降低，泄漏功耗在总功耗中所占据的比重越来越大。 本文着重研究了低泄漏电流的亚阈值存储体。 本文的工作包括：(1)通过分析亚阈值电路的延时模型、能耗模型，提出存储体最低和最优化 电源电压的取值范围；(2)提出一款可以工作在亚阈值区域(200 mV电源电压)具有自适应泄漏电 流切断机制的SRAM存储单元，该设计不仅能够从降低电源电压技术中获得总功耗的显著降低，还 能够根据存储单元的操作状态自适应限制泄漏电流的消耗，进一步降低系统总功耗；