零偏4h-si衬底上同质外延生长和表征技术研究.pdfVIP

摘要 通过同质外延生长获得高质量SiC外延层是制造SiC器件的关键步骤。目前， 2o方向偏离80的4H．SiC衬底常被用于4H．SiC的同质外延生长， (0001)面沿11 在避免了3C．SiC多型形成的同时也产生了一些问题：随着SiC晶锭直径的增大， 从轴向生长的晶锭上偏离轴向切割会使材料的浪费现象更加严重，大大增加了生 产成本；衬底中的基面位错会向外延层中繁殖，基面位错对SiC双极器件的性能 有严重影响。本文主要研究了零偏4H．SiC衬底上的同质外延生长工艺和表征技 术。 了质量良好的同质外延层，并对其主要工艺参数和生长机制进行了探讨。实验发 现，生长前的原位刻蚀、初始生长参数以及生长温度对于维持外延层晶型，避免 3C．SiC多型的产生具有重要影响。 ’在微分干涉显微镜下样品外延表面呈台阶状或丘状突起，在边缘区域存在少 量三角形缺陷。通过Ramall散射光谱判定三角形缺陷为3C．SiC多型，其余区域 区域的表面粗糙度(RMS)为0．484nm，表面起伏程度很小。借助X射线衍射仪对 明外延层结晶完整性较好。汞探针C-V法测得外延层的载流子浓度为 对外延层中的结构缺陷进行了检测分析，没有观测到基面位错的腐蚀形貌，说明 在该工艺条