超薄绝缘体上锗goi)材料制备及其性质研究.pdfVIP

／‘ 摘 要 点，成为极具应用前景的新型衬底材料。采用高质量的GOI材料作为衬底材料 制作MOSFETs器件，可以显著提高器件中沟道电子和空穴的迁移率，降低寄 生电容，从而提高器件的性能。因此，制备表面平整、晶格结构完整的GOI材 料具有重要意义。 本文采用锗浓缩技术对在UHVCVD系统中外延生长得到的SOI基SiGe材 料进行氧化、退火，制备出不同Ge组分的绝缘体上锗硅(SGOI)材料，并对其 结构、表面形貌、光学特性等进行表征；利用制得的SOI、GOI材料探索了SOI、 GOI肖特基源／漏结MOSFETs器件工艺，并对其电学特性进行表征。本论文的主 要研究内容包括以下三个方面： l、利用超高真空化学气相淀积系统在减薄的SOI衬底上外延生长Ge组分为 0．19，应变弛豫度为12％，表面粗糙度为0．8nm，厚度约为70nm的SiGe外延层。 2、采用循环氧化退火的改进型锗浓缩方法制备SGOI和GOI材料。通过优化氧 化退火温度和时间，利用SOI基Sio．8iGeo．19材料成功制备出Ge组分从O．24到l 的高质量SGOI／GOI材料。研究表明，在氧化退火初始阶段，SiGe层Ge组分 不断提高，SiGe层厚度不断减小，由于SiGe层厚度小于临界厚度，其应变状态 遵循异