复合多晶硅栅lmos器件的结构设计与电学特性分析.pdfVIP

摘要 摘要 近年来，随着以蜂窝式移动通信为主的通信市场爆炸式的增长，人们对于性 能优异的RFLDMOS器件的需求越来越广泛，例如通讯基站使用的发射放大器， 器件，除了电流电压特性方面的要求外，还对器件在频率方面提出了更高的要求， 所以，在设计新的应用于通讯Ic的LDMOS器件时，必须在高压和高频两方面 进行考虑。基于以上两点的考虑，本文提出了一种复合多晶硅栅(DMG，Dual Material 于射频放大电路。 本文首先介绍了LDMOS在射频领域中的应用和其具有的优势，接着介绍了 LDMOS的器件结构和特性，然后针对当前改善LDMOS特性所采取的主要手段， 介绍了几种具体的LDMOS结构，并比较了其主要性能参数。 本文提出的DMG．LDMOS结构采用了栅工程的概念，所设计的栅as．gate和 在复合多晶硅栅的实现工艺上，本文采用了一种补偿注入的方法，只需利用一块 S-gate掩模板就可形成复合栅电极结构，工艺简单可行，同时，本文利用工艺模 拟软件Tsuprem4对DMG—LDMOS器件进行了工艺模拟，并给出了简明工艺流程。 阈值电压是MOS器件的重要参数之一，为了使电路模拟软件能够正确模拟 电路的特性，建立精确的闽值电压模型是非常重要的。由于DMG-LDMOS的栅 电极由掺杂类型和浓度不同的多晶硅材料构成，而且沟道是非均匀掺杂，因此很 难通过解泊松方程来求阈值电压的解析模型。本文通过MEDICI模拟软件分析了 DMo-LDMOS的闽值电压与复合栅长度比例、功函数差之间的关系，并在普通 LDMOS阙值电压模型的基础上建立了含有经验参数的DMG-LDMOS的阈值电 压模型，模型中的参数与衬底材料、复合栅结构与材料有关。将模型的计算结果 与MEDICI的模拟数据进行了比较，两者的误差很小，说明该模型可以精确地描 述DMG-LDMOS的阂值电压，在电路模拟中有一定的参考价值。 在对DMG-LDMOS器件直流、交流特性的研究过程中，通过仿真软件 复合多品硅栅LDMOS器件的结构设计与电学特性分析 函数的p+多晶硅构成，因此在复合栅的界面处会产生一个阶梯电势和一个峰值电 场，在这个峰值电场的作用下DMO·LDMOS的载流子在沟道区的平均速度增大， 从而提高了器件的跨导与截止频率；另外这个阶梯电势使的器件的表面电场分布 更加均匀，可以在导通电阻变化不大的情况下提高击穿电压；同时这个阶梯电势 对漏端电场峰值起到屏蔽的作用，从而减小了热电子效应，增加了器件的使用寿 命。 关键词：LDMOS、复合栅、阈值电压、跨导、截止频率 Abntact Abstract marketwhich Inrecent give years，communication pdoH何tohoneycomb the RF communicationincreases demandfor LDMOS mobile explovsivaly．So andmore suchasemission whose becamemore extensively amplifieroperating to2．4GHzand about RF isfrom900MHz voltage30V．ToLDMOS．nlore frequency hasbeen todevice besidesintfinieI-Vcharacteristics．And attation paid frequency beconcernedwhen boththe